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参数资料
| 型号： | IRF820AS |
| 厂商： | VISHAY INTERTECHNOLOGY INC |
| 元件分类： | JFETs |
| 英文描述： | 2.5 A, 500 V, 3 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封装： | D2PAK-3 |
| 文件页数： | 5/11页 |
| 文件大小： | 162K |
| 代理商： | IRF820AS |
IRF820AS/L
Fig 4. Normalized On-Resistance
Vs. Temperature
Fig 2. Typical Output Characteristics
Fig 1. Typical Output Characteristics
Fig 3. Typical Transfer Characteristics
0.01
0.1
1
10
0.1
1
10
100
20s PULSE WIDTH
T = 25 C
J
°
TOP
BOTTOM
VGS
15V
10V
8.0V
7.0V
6.0V
5.5V
5.0V
4.5V
V
, Drain-to-Source Voltage (V)
I
,
Drain-to-Source
Current
(A)
DS
D
4.5V
0.1
1
10
1
10
100
20s PULSE WIDTH
T = 150 C
J
°
TOP
BOTTOM
VGS
15V
10V
8.0V
7.0V
6.0V
5.5V
5.0V
4.5V
V
, Drain-to-Source Voltage (V)
I
,
Drain-to-Source
Current
(A)
DS
D
4.5V
0.01
0.1
1
10
4.0
5.0
6.0
7.0
8.0
9.0
V
= 50V
20s PULSE WIDTH
DS
V
, Gate-to-Source Voltage (V)
I
,
Drain-to-Source
Current
(A)
GS
D
T = 25 C
J
°
T = 150 C
J
°
-60 -40 -20
0
20
40
60
80 100 120 140 160
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
T , Junction Temperature ( C)
R
,
Drain-to-Source
On
Resistance
(Normalized)
J
DS(on)
°
V
=
I =
GS
D
10V
2.5A
Document Number: 90089
www.vishay.com
3
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