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参数资料
| 型号： | IRF820AS |
| 厂商： | VISHAY INTERTECHNOLOGY INC |
| 元件分类： | JFETs |
| 英文描述： | 2.5 A, 500 V, 3 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封装： | D2PAK-3 |
| 文件页数： | 7/11页 |
| 文件大小： | 162K |
| 代理商： | IRF820AS |
IRF820AS/L
Fig 10a. Switching Time Test Circuit
VDS
90%
10%
VGS
td(on)
tr
td(off) tf
Fig 10b. Switching Time Waveforms
VDS
Pulse Width
≤ 1 s
Duty Factor
≤ 0.1 %
RD
VGS
RG
D.U.T.
10V
+
-VDD
Fig 11. Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Case
Fig 9. Maximum Drain Current Vs.
Case Temperature
0.01
0.1
1
10
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
Notes:
1. Duty factor D =
t / t
2. Peak T = P
x Z
+ T
1
2
J
DM
thJC
C
P
t
DM
1
2
t , Rectangular Pulse Duration (sec)
Thermal
Response
(Z
)
1
thJC
0.01
0.02
0.05
0.10
0.20
D = 0.50
SINGLE PULSE
(THERMAL RESPONSE)
25
50
75
100
125
150
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
T , Case Temperature
( C)
I
,
Drain
Current
(A)
°
C
D
Document Number: 90089
www.vishay.com
5
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