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参数资料
| 型号： | IRF820AS |
| 厂商： | VISHAY INTERTECHNOLOGY INC |
| 元件分类： | JFETs |
| 英文描述： | 2.5 A, 500 V, 3 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封装： | D2PAK-3 |
| 文件页数： | 8/11页 |
| 文件大小： | 162K |
| 代理商： | IRF820AS |
IRF820AS/L
QG
QGS
QGD
VG
Charge
D.U.T.
VDS
ID
IG
3mA
VGS
.3
F
50K
.2
F
12V
Current Regulator
Same Type as D.U.T.
Current Sampling Resistors
+
-
10 V
Fig 13b. Gate Charge Test Circuit
Fig 13a. Basic Gate Charge Waveform
Fig 12c. Maximum Avalanche Energy
Vs. Drain Current
Fig 12b. Unclamped Inductive Waveforms
Fig 12a. Unclamped Inductive Test Circuit
tp
V (B R)DSS
I AS
R G
IAS
0.01
tp
D.U.T
L
V DS
+
-
VDD
DRIV E R
A
15 V
20V
25
50
75
100
125
150
0
50
100
150
200
250
300
Starting T , Junction Temperature ( C)
E
,
Single
Pulse
Avalanche
Energy
(mJ)
J
AS
°
ID
TOP
BOTTOM
1.1A
1.6A
2.5A
Fig 12d. Typical Drain-to-Source Voltage
Vs. Avalanche Current
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
IAV , Avalanche Current ( A)
550
600
650
700
V
DSav
,
Avalanche
Voltage
(
V
)
Document Number: 90089
www.vishay.com
6
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