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参数资料
| 型号： | IRF822 |
| 厂商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | N-CHANNEL POWER MOSFETS |
| 中文描述： | N沟道功率MOSFET |
| 文件页数： | 2/6页 |
| 文件大小： | 322K |
| 代理商： | IRF822 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRF823 | 2 A, 450 V, 4 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
| IRF840 | N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE SILICON GATE TMOS POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR |
| IRF841 | N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE SILICON GATE TMOS POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR |
| IRF842 | RES 1M-OHM 1% 0.25W 100PPM THICK-FILM SMD-1206 5K/REEL-7IN-PA |
| IRF843 | N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE SILICON GATE TMOS POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRF822FI | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:N CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSTRANSISTORS |
| IRF822R | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk |
| IRF823 | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk |
| IRF823R | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 450V V(BR)DSS | 2A I(D) | TO-220AB |
| IRF8252PBF | 功能描述:MOSFET 25V 1 N-CH HEXFET 2.7mOhms 35nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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