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参数资料
| 型号： | IRF8714GPBF |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 5/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC |
| 标准包装： | 95 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 14A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 8.7 毫欧 @ 14A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.35V @ 25µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 12nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1020pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 2.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SO |
| 包装： | 管件 |
IRF8714GPbF
14
12
10
8
6
4
2
0
2.5
2.0
1.5
1.0
ID = 25μA
25
50
75
100
125
150
-75 -50 -25
0
25
50
75 100 125 150
100
T A , Ambient Temperature (°C)
Fig 9. Maximum Drain Current vs.
Ambient Temperature
D = 0.50
T J , Temperature ( °C )
Fig 10. Threshold Voltage vs. Temperature
10
0.20
0.10
0.05
1
0.1
0.02
0.01
SINGLE PULSE
( THERMAL RESPONSE )
0.01
0.001
τ J
R 1
R 1
τ J
τ 1
τ 1
Ci= τ i / Ri
Ci= τ i / Ri
τ 2
R 2
R 2
τ 2
R 3
R 3
τ 3
τ 3
R 4
R 4
τ 4
τ 4
τ A
τ A
Ri (°C/W)
1.9778
7.4731
26.2617
14.2991
τ i (sec)
0.000165
0.022044
0.82275
28.4
Notes:
1. Duty Factor D = t1/t2
2. Peak Tj = P dm x Zthja + T A
1E-006
1E-005
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
t1 , Rectangular Pulse Duration (sec)
Fig 11. Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Ambient
www.irf.com
5
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PDF描述 |
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参数描述 |
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| IRF8714PBF | 功能描述:MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 8.7mOhms 8.1nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRF8714TRPBF | 功能描述:MOSFET MOSFT 30V 14A 8.7mOhm 8.1nC Qg RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRF8721GPBF | 功能描述:MOSFET HEXFET 30V VDSS 8.5mOhm 10V 8.3nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRF8721GTRPBF | 功能描述:MOSFET MOSFT 30V 14A 8.5mOhm 8.3nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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