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参数资料
| 型号： | IRF8721GTRPBF |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 3/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC |
| 产品目录绘图： | IR Hexfet 8-SOIC |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 14A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 8.5 毫欧 @ 14A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.35V @ 25µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 12nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1040pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 2.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SO |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1523 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | IRF8721GTRPBFDKR |
IRF8721GPbF
1000
1000
100
10
TOP
BOTTOM
VGS
10V
5.0V
4.5V
3.5V
3.0V
2.7V
2.5V
2.3V
100
TOP
BOTTOM
VGS
10V
5.0V
4.5V
3.5V
3.0V
2.7V
2.5V
2.3V
1
10
0.1
2.3V
≤ 60μs PULSE WIDTH
Tj = 25°C
2.3V
≤ 60μs PULSE WIDTH
Tj = 150°C
0.01
1
0.1
1
10
100
0.1
1
10
100
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 1. Typical Output Characteristics
1000
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 2. Typical Output Characteristics
2.0
100
10
1
VDS = 15V
≤ 60μs PULSE WIDTH
TJ = 150°C
TJ = 25°C
1.5
I D = 14A
VGS = 10V
1.0
0.1
0.01
1.0
2.0 3.0
VGS, Gate-to-Source Voltage (V)
4.0
0.5
-60 -40 -20 0 20 40 60 80 100 120 140 160
TJ , Junction Temperature (°C)
Fig 3. Typical Transfer Characteristics
www.irf.com
Fig 4. Normalized On-Resistance
Vs. Temperature
3
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRF8721PBF | 功能描述:MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 8.5mOhms 8.3nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRF8721TRPBF | 功能描述:MOSFET MOSFT 30V 14A 8.5mOhm 8.3nC Qg RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRF8734PBF | 功能描述:MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 3.5mOhms 20nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRF8734TRPBF | 功能描述:MOSFET MOSFT 30V 21A 3.5mOhm 20nC Qg RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRF8736PBF | 功能描述:MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 4.8mOhms 17nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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