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参数资料
| 型号： | IRF8721GTRPBF |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 4/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC |
| 产品目录绘图： | IR Hexfet 8-SOIC |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 14A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 8.5 毫欧 @ 14A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.35V @ 25µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 12nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1040pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 2.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SO |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1523 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | IRF8721GTRPBFDKR |
IRF8721GPbF
10000
1000
VGS = 0V, f = 1 MHZ
Ciss = Cgs + Cgd, Cds SHORTED
Crss = Cgd
Coss = Cds + Cgd
Ciss
16
12
8
ID= 11A
VDS= 24V
VDS= 15V
Coss
Crss
4
100
1
10
VDS , Drain-to-Source Voltage (V)
100
0
0
5 10 15 20
Qg, Total Gate Charge (nC)
25
Fig 5. Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
Fig 6. Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
1000
100
1000
100
OPERATION IN THIS AREA
LIMITED BY R DS(on)
100μsec
10
TJ = 150°C
10
1msec
10msec
1
0.1
TJ = 25°C
VGS = 0V
1
0.1
TA = 25°C
Tj = 150°C
Single Pulse
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
0.1
1
10
100
4
VSD , Source-to-Drain Voltage (V)
Fig 7. Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 8. Maximum Safe Operating Area
www.irf.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRF9204PBF | MOSFET P-CH 40V 74A TO-220AB |
| IRF9332PBF | MOSFET P-CH 30V 9.8A 8SOIC |
| IRF9392TRPBF | MOSFET P-CH 30V 9.8A 8SOIC |
| IRF9410PBF | MOSFET N-CH 30V 7A 8-SOIC |
| IRF9410TR | MOSFET N-CH 30V 7A 8-SOIC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRF8721PBF | 功能描述:MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 8.5mOhms 8.3nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRF8721TRPBF | 功能描述:MOSFET MOSFT 30V 14A 8.5mOhm 8.3nC Qg RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRF8734PBF | 功能描述:MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 3.5mOhms 20nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRF8734TRPBF | 功能描述:MOSFET MOSFT 30V 21A 3.5mOhm 20nC Qg RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRF8736PBF | 功能描述:MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 4.8mOhms 17nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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