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参数资料
| 型号： | IRF9204PBF |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 4/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 40V 74A TO-220AB |
| 产品变化通告： | Product Discontinuation 08/Jul/2011 |
| 产品目录绘图： | TO-220AB |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 40V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 56A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 16 毫欧 @ 37A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 100µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 224nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 7676pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 143W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 |
| 供应商设备封装： | TO-220AB |
| 包装： | 管件 |
IRF9204PbF
100000
10000
VGS = 0V, f = 1 KHZ
C iss = C gs + C gd, C ds SHORTED
C rss = C gd
C oss = C ds + C gd
Ciss
14.0
12.0
10.0
ID= -37A
VDS= -32V
VDS= -20V
8.0
6.0
1000
100
Coss
Crss
4.0
2.0
0.0
1
10
100
0
20
40
60
80 100 120 140 160 180
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
QG, Total Gate Charge (nC)
Fig 7. Typical Capacitance Vs. Drain-to-Source Voltage Fig 8. Typical Gate Charge Vs. Gate-to-Source Voltage
1000
80
OPERATION IN THIS AREA LIMITED BY R DS(on)
70
Limited By Package
100
100 μ sec
1msec
10msec
60
50
10
LIMITED BY PACKAGE
DC
40
30
1
0.1
Tc = 25°C
Tj = 175°C
Single Pulse
20
10
0
0
1
10
100
25
50
75
100
125
150
175
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 9. Maximum Safe Operating Area
10
1
D = 0.50
0.20
T C , Case Temperature (°C)
Fig 10. Maximum Drain Current Vs. Case Temperature
0.1
0.01
0.10
0.05
0.02
0.01
0.001
0.0001
SINGLE PULSE
( THERMAL RESPONSE )
Notes:
1. Duty Factor D = t1/t2
2. Peak Tj = P dm x Zthjc + Tc
1E-006
1E-005
0.0001
0.001
0.01
0.1
t1 , Rectangular Pulse Duration (sec)
Fig 11. Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Case
4
www.irf.com
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PDF描述 |
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