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参数资料
| 型号： | IRF9332PBF |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 2/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 30V 9.8A 8SOIC |
| 标准包装： | 95 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 9.8A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 17.5 毫欧 @ 9.8A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.4V @ 25µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 41nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1270pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 2.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SO |
| 包装： | 管件 |
IRF9332PbF
Static @ T J = 25°C (unless otherwise specified)
Parameter
Min.
Typ.
Max.
Units
Conditions
BV DSS
?Β V DSS / ? T J
R DS(on)
V GS(th)
? V GS(th)
I DSS
I GSS
gfs
Q g
Q g
Q gs
Drain-to-Source Breakdown Voltage
Breakdown Voltage Temp. Coefficient
Static Drain-to-Source On-Resistance
Gate Threshold Voltage
Gate Threshold Voltage Coefficient
Drain-to-Source Leakage Current
Gate-to-Source Forward Leakage
Gate-to-Source Reverse Leakage
Forward Transconductance
Total Gate Charge
Total Gate Charge
Gate-to-Source Charge
-30
–––
–––
–––
-1.3
–––
–––
–––
–––
–––
36
–––
–––
–––
–––
0.021
13.6
22.5
-1.9
-5.7
–––
–––
–––
–––
–––
14
27
4.1
–––
–––
17.5
28.1
-2.4
–––
-1.0
-150
-100
100
–––
–––
41
–––
V
V/°C
m ?
V
mV/°C
μA
nA
S
nC
nC
V GS = 0V, I D = -250μA
Reference to 25°C, I D = -1mA
V GS = -10V, I D = -9.8A
V GS = -4.5V, I D = -7.8A
V DS = V GS , I D = -25μA
V DS = -24V, V GS = 0V
V DS = -24V, V GS = 0V, T J = 125°C
V GS = -20V
V GS = 20V
V DS = -10V, I D = -7.8A
V DS = -15V,V GS = -4.5V,I D = -7.8A
V GS = -10V
V DS = -15V
Q gd
R G
t d(on)
Gate-to-Drain Charge
Gate Resistance
Turn-On Delay Time
–––
–––
–––
6.6
18
15
–––
–––
–––
?
I D = -7.8A
V DD = -15V, V GS = -4.5V
t r
t d(off)
t f
C iss
C oss
C rss
Rise Time
Turn-Off Delay Time
Fall Time
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
–––
–––
–––
–––
–––
–––
47
73
58
1270
250
180
–––
–––
–––
–––
–––
–––
ns
pF
I D = -1.0A
R G = 6.8 ?
See Figs. 19a & 19b
V GS = 0V
V DS = -25V
? = 1.0KHz
Avalanche Characteristics
Parameter
Typ.
Max.
Units
E AS
I AR
Single Pulse Avalanche Energy
Avalanche Current
–––
–––
102
-7.8
mJ
A
Diode Characteristics
Parameter
Min.
Typ.
Max.
Units
Conditions
I S
I SM
Continuous Source Current
(Body Diode)
Pulsed Source Current
(Body Diode)
–––
–––
–––
–––
-2.5
-80
A
MOSFET symbol
showing the
integral reverse
p-n junction diode.
G
D
S
V SD
t rr
Q rr
Diode Forward Voltage
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Charge
–––
–––
–––
–––
36
20
-1.2
54
30
V
ns
nC
T J = 25°C, I S = -2.5A, V GS = 0V
T J = 25°C, I F = -2.5A, V DD = -24V
di/dt = 100/μs
Thermal Resistance
Parameter
Typ.
Max.
Units
R θ JL
R θ JA
Junction-to-Drain Lead
Junction-to-Ambient
–––
–––
20
50
°C/W
Notes:
? Repetitive rating; pulse width limited by max. junction temperature.
? Starting T J = 25°C, L = 3.3mH, R G = 25 ? , I AS = -7.8A.
? Pulse width ≤ 400μs; duty cycle ≤ 2%.
? When mounted on 1 inch square copper board.
? R θ is measured at T J of approximately 90°C.
? For DESIGN AID ONLY, not subject to production testing.
2
www.irf.com
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PDF描述 |
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参数描述 |
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