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参数资料
| 型号： | IRF9332PBF |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 4/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 30V 9.8A 8SOIC |
| 标准包装： | 95 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 9.8A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 17.5 毫欧 @ 9.8A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.4V @ 25µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 41nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1270pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 2.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SO |
| 包装： | 管件 |
IRF9332PbF
100
T J = 150°C
1000
100
OPERATION IN THIS AREA
LIMITED BY R DS(on)
100μsec
10
T J = 25°C
10
1
DC
1msec
1.0
VGS = 0V
0.1
0.01
T A = 25°C
Tj = 150°C
Single Pulse
10msec
0.3
0.5
0.7
0.9
1.1
1.3
0.01
0.1
1
10
100
1000
-V SD, Source-to-Drain Voltage (V)
Fig 7. Typical Source-Drain Diode Forward Voltage
10
8
6
-VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 8. Maximum Safe Operating Area
2.4
2.2
2.0
1.8
4
1.6
ID = -25μA
1.4
2
1.2
0
1.0
25
50
75
100
125
150
-75 -50 -25
0
25
50
75 100 125 150
T A , Ambient Temperature (°C)
Fig 9. Maximum Drain Current vs.
Ambient Temperature
100
D = 0.50
T J , Temperature ( °C )
Fig 10. Threshold Voltage vs. Temperature
10
1
0.20
0.10
0.05
0.02
0.01
0.1
0.01
0.001
SINGLE PULSE
( THERMAL RESPONSE )
Notes:
1. Duty Factor D = t1/t2
2. Peak Tj = P dm x Zthja + T A
1E-006
1E-005
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
t1 , Rectangular Pulse Duration (sec)
Fig 11. Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Ambient
4
www.irf.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRF9392TRPBF | MOSFET P-CH 30V 9.8A 8SOIC |
| IRF9410PBF | MOSFET N-CH 30V 7A 8-SOIC |
| IRF9410TR | MOSFET N-CH 30V 7A 8-SOIC |
| IRF9520NLPBF | MOSFET P-CH 100V 6.8A TO262-3 |
| IRF9520NSTRR | MOSFET P-CH 100V 6.8A D2PAK |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRF9332TRPBF | 功能描述:MOSFET MOSFT PCh -30V -9.8A 54mOhm -2.5V cpbl RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRF9333PBF | 功能描述:MOSFET 20V FETKY-30V MOSFET 19.4mOhms 14nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRF9333TRPBF | 功能描述:MOSFET MOSFT P-Ch -30V -9.2A 19.4mOhm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRF9335PBF | 功能描述:MOSFET MOSFT P-Ch -30V -5.4A 59mOhm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRF9335TRPBF | 功能描述:MOSFET 1 P-CH -30V HEXFET 59mOhms 4.7nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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