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参数资料
| 型号： | IRF9332TRPBF |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 1/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 30V 9.8A 8SOIC |
| 标准包装： | 4,000 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 9.8A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 17.5 毫欧 @ 9.8A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.4V @ 25µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 41nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1270pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 2.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SO |
| 包装： | 带卷 (TR) |
PD - 97561
IRF9332PbF
HEXFET ? Power MOSFET
V DS
R DS(on) max
(@V GS = -10V)
R DS(on) max
(@V GS = -4.5V)
-30
17.5
28.1
V
m ?
m ?
Q g (typical)
I D
(@T A = 25°C)
14
-9.8
nC
A
SO-8
Applications
? Charge and Discharge Switch for Notebook PC Battery Application
? System/Load Switch
Features and Benefits
Features
Industry-Standard SO-8 Package
Resulting Benefits
results in Multi-Vendor Compatibility
RoHS Compliant Containing no Lead, no Bromide and no Halogen
?
Environmentally Friendlier
Orderable part number
Package Type
Standard Pack
Note
Form Quantity
IRF9332PbF
IRF9332TRPbF
SO8
SO8
Tube/Bulk 95
Tape and Reel 4000
Absolute Maximum Ratings
Parameter
Max.
Units
V DS
V GS
I D @ T A = 25°C
I D @ T A = 70°C
I DM
P D @T A = 25°C
P D @T A = 70°C
T J
T STG
Drain-to-Source Voltage
Gate-to-Source Voltage
Continuous Drain Current, V GS @ -10V
Continuous Drain Current, V GS @ -10V
Pulsed Drain Current
Power Dissipation
Power Dissipation
Linear Derating Factor
Operating Junction and
Storage Temperature Range
-30
±20
-9.8
-7.8
-80
2.5
1.6
0.02
-55 to + 150
V
A
W
W/°C
°C
Notes ? through ? are on page 2
www.irf.com
1
09/01/2010
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 445I35E12M00000 | CRYSTAL 12.00000 MHZ 20PF SMD |
| 445I35D12M00000 | CRYSTAL 12.00000 MHZ 18PF SMD |
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| FXO-HC735R-7.68 | OSC 7.68 MHZ 3.3V HCMOS SMD |
| 445I35A12M00000 | CRYSTAL 12.00000 MHZ 10PF SMD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRF9333PBF | 功能描述:MOSFET 20V FETKY-30V MOSFET 19.4mOhms 14nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRF9333TRPBF | 功能描述:MOSFET MOSFT P-Ch -30V -9.2A 19.4mOhm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRF9335PBF | 功能描述:MOSFET MOSFT P-Ch -30V -5.4A 59mOhm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRF9335TRPBF | 功能描述:MOSFET 1 P-CH -30V HEXFET 59mOhms 4.7nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRF9358PBF | 功能描述:MOSFET DUAL -30V P-CH HEXFET 16.3mOhms RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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