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参数资料
| 型号： | IRF9332TRPBF |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 6/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 30V 9.8A 8SOIC |
| 标准包装： | 4,000 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 9.8A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 17.5 毫欧 @ 9.8A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.4V @ 25µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 41nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1270pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 2.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SO |
| 包装： | 带卷 (TR) |
IRF9332PbF
Id
Vds
Vgs
L
0
1K
20K
S S
DUT
VCC
Vgs(th)
Qgodr
Qgd
Qgs2 Qgs1
Fig 17a. Gate Charge Test Circuit
Fig 17b. Gate Charge Waveform
VDS
R G
L
D.U.T
VDD
I AS
GS
-20V
tp
IAS
0.01 ?
DRIVER
A
tp
V (BR)DSS
15V
Fig 18a. Unclamped Inductive Test Circuit
Fig 18b. Unclamped Inductive Waveforms
V DS
R D
t d(on)
t r
t d(off)
t f
R G
V GS
D.U.T.
V GS
10%
V DD
6
-V GS
Pulse Width ≤ 1 μs
Duty Factor ≤ 0.1 %
Fig 19a. Switching Time Test Circuit
90%
V DS
Fig 19b. Switching Time Waveforms
www.irf.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 445I35E12M00000 | CRYSTAL 12.00000 MHZ 20PF SMD |
| 445I35D12M00000 | CRYSTAL 12.00000 MHZ 18PF SMD |
| B32522C1334K189 | FILM CAP 0.3300UF 10% 100V |
| FXO-HC735R-7.68 | OSC 7.68 MHZ 3.3V HCMOS SMD |
| 445I35A12M00000 | CRYSTAL 12.00000 MHZ 10PF SMD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRF9333PBF | 功能描述:MOSFET 20V FETKY-30V MOSFET 19.4mOhms 14nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRF9333TRPBF | 功能描述:MOSFET MOSFT P-Ch -30V -9.2A 19.4mOhm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRF9335PBF | 功能描述:MOSFET MOSFT P-Ch -30V -5.4A 59mOhm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRF9335TRPBF | 功能描述:MOSFET 1 P-CH -30V HEXFET 59mOhms 4.7nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRF9358PBF | 功能描述:MOSFET DUAL -30V P-CH HEXFET 16.3mOhms RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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