- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录21823 > IRF9332TRPBF (International Rectifier)MOSFET P-CH 30V 9.8A 8SOIC PDF资料下载
参数资料
| 型号： | IRF9332TRPBF |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 3/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 30V 9.8A 8SOIC |
| 标准包装： | 4,000 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 9.8A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 17.5 毫欧 @ 9.8A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.4V @ 25µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 41nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1270pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 2.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SO |
| 包装： | 带卷 (TR) |
IRF9332PbF
100
100
10
TOP
BOTTOM
VGS
-10V
-5.0V
-4.5V
-4.0V
-3.5V
-3.0V
-2.7V
-2.5V
10
TOP
BOTTOM
VGS
-10V
-5.0V
-4.5V
-4.0V
-3.5V
-3.0V
-2.7V
-2.5V
1
0.1
0.01
-2.5V
≤ 60μs PULSE WIDTH
Tj = 25°C
1
0.1
-2.5V
≤ 60μs PULSE WIDTH
Tj = 150°C
0.1
1
10
100
0.1
1
10
100
-V DS, Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 1. Typical Output Characteristics
100
-V DS, Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 2. Typical Output Characteristics
1.6
10
1.4
1.2
ID = -9.8A
VGS = -10V
1
T J = 150°C
T J = 25°C
1.0
0.8
VDS = -10V
0.1
≤ 60μs PULSE WIDTH
0.6
1
2
3
4
5
6
-60 -40 -20 0
20 40 60 80 100 120 140 160
-VGS, Gate-to-Source Voltage (V)
Fig 3. Typical Transfer Characteristics
T J , Junction Temperature (°C)
Fig 4. Normalized On-Resistance vs. Temperature
10000
VGS = 0V, f = 1 KHZ
C iss = C gs + C gd, C ds SHORTED
C rss = C gd
C oss = C ds + C gd
Ciss
14.0
12.0
10.0
8.0
ID= -7.8A
VDS= -24V
VDS= -15V
VDS= -6.0V
1000
100
Coss
Crss
6.0
4.0
2.0
0.0
1
10
100
0
10
20
30
40
-VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 5. Typical Capacitance vs.Drain-to-Source Voltage
www.irf.com
QG, Total Gate Charge (nC)
Fig 6. Typical Gate Charge vs.Gate-to-Source Voltage
3
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 445I35E12M00000 | CRYSTAL 12.00000 MHZ 20PF SMD |
| 445I35D12M00000 | CRYSTAL 12.00000 MHZ 18PF SMD |
| B32522C1334K189 | FILM CAP 0.3300UF 10% 100V |
| FXO-HC735R-7.68 | OSC 7.68 MHZ 3.3V HCMOS SMD |
| 445I35A12M00000 | CRYSTAL 12.00000 MHZ 10PF SMD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRF9333PBF | 功能描述:MOSFET 20V FETKY-30V MOSFET 19.4mOhms 14nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRF9333TRPBF | 功能描述:MOSFET MOSFT P-Ch -30V -9.2A 19.4mOhm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRF9335PBF | 功能描述:MOSFET MOSFT P-Ch -30V -5.4A 59mOhm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRF9335TRPBF | 功能描述:MOSFET 1 P-CH -30V HEXFET 59mOhms 4.7nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRF9358PBF | 功能描述:MOSFET DUAL -30V P-CH HEXFET 16.3mOhms RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。