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参数资料
| 型号： | IRF9410TR |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 3/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 7A 8-SOIC |
| 标准包装： | 4,000 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 30 毫欧 @ 7A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 27nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 550pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 2.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SO |
| 包装： | 带卷 (TR) |
IRF9410
100
10
VGS
TOP 15V
10V
7.0V
5.5V
4.5V
4.0V
3.5V
BOTT OM 3.0V
100
10
VGS
TOP 15V
10V
7.0V
5.5V
4.5V
4.0V
3.5V
BOTT OM 3.0V
3.0V
3.0 V
20 μs P U LSE W IDTH
20 μs P U LSE W IDTH
1
0.1
1
T J = 25 °C
10
A
1
0.1
1
T J = 15 0°C
10
A
V D S , D rain-to-S ource V oltage (V )
Fig 1. Typical Output Characteristics
100
T J = 2 5 °C
V D S , D rain-to-S ource Voltage (V)
Fig 2. Typical Output Characteristics
100
10
T J = 1 5 0 °C
10
T J = 1 50 °C
T J = 2 5°C
1
V D S = 1 0 V
V G S = 0 V
1
3.0
3.5
4.0
2 0 μ s PU L SE W ID TH
4.5 5.0 5.5
A
0.1
0.4
0.6
0.8
1.0
A
1.2
V G S , Ga te-to-S o urce V oltage (V )
Fig 3. Typical Transfer Characteristics
V S D , S ource-to-Drain Voltage (V )
Fig 4. Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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