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参数资料
| 型号： | IRF9410TR |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 4/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 7A 8-SOIC |
| 标准包装： | 4,000 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 30 毫欧 @ 7A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 27nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 550pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 2.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SO |
| 包装： | 带卷 (TR) |
IRF9410
2.0
I D = 7.0A
0.05
1.5
0.04
V G S = 4.5V
1.0
0.03
0.5
V G S = 10V
T J , Junction Temperature ( C)
0.0
-60 -40 -20 0 20 40 60 80 100 120 140 160
V GS = 10V
°
0.02
0
5
10 15
I D , Drain Current (A)
20
25
A
Fig 5. Normalized On-Resistance
Vs. Temperature
Fig 6. Typical On-Resistance Vs. Drain
Current
0.14
200
TOP
I D
2.1A
0.12
160
BOTTOM
3.7A
4.6A
0.10
0.08
0.06
0.04
I D = 7.0A
120
80
40
0.02
0.00
3
6
9
12
15
A
0
25
50
75
100
125
A
150
V G S - Gate-to-Source V olta ge (V )
Fig 7. Typical On-Resistance Vs. Gate
Voltage
Starting T , J Junction Temperature (°C)
Fig 8. Maximum Avalanche Energy
Vs. Drain Current
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRF9520NLPBF | MOSFET P-CH 100V 6.8A TO262-3 |
| IRF9520NSTRR | MOSFET P-CH 100V 6.8A D2PAK |
| IRF9530NSTRR | MOSFET P-CH 100V 14A D2PAK |
| IRF9540NSTRR | MOSFET P-CH 100V 23A D2PAK |
| IRF9540SPBF | MOSFET P-CH 100V 19A D2PAK |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRF9410TRHR | 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 30V 7A 8SOIC - Tape and Reel |
| IRF9410TRPBF | 功能描述:MOSFET MOSFT 30V 7A 30mOhm 18nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRF949TE6700 | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述: |
| IRF9510 | 功能描述:MOSFET P-Chan 100V 4.0 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRF9510_R4941 | 功能描述:MOSFET TO-220 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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