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参数资料
| 型号： | IRF9521 |
| 厂商： | Supertex, Inc. |
| 英文描述： | P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS Power FETs |
| 中文描述： | P通道增强型立式DMOS功率场效应管 |
| 文件页数： | 1/2页 |
| 文件大小： | 73K |
| 代理商： | IRF9521 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRF9522 | P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS Power FETs |
| IRF9523 | P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS Power FETs |
| IRFD120 | 1.3A, 100V, 0.300 Ohm, N-Channel Power MOSFET |
| IRFD120 | 1.3A and 1.1A, 80V and 100V, 0.30 and 0.40 Ohm, N-Channel Power MOSFETs |
| IRFD120 | 1.3A, 100V, 0.300 Ohm, N-Channel Power MOSFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRF9522 | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk |
| IRF9523 | 制造商:SUPERTEX 制造商全称:SUPERTEX 功能描述:P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS Power FETs |
| IRF9530 | 功能描述:MOSFET -100V Single P-Channel HEXFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRF9530_R4941 | 功能描述:MOSFET TO-220AB P-Ch Power RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRF9530-220M | 制造商:SEME-LAB 制造商全称:Seme LAB 功能描述:P-CHANNEL POWER MOSFET FOR HI.REL APPLICATIONS |
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