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参数资料
| 型号： | IRF9530NSTRR |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 3/11页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 100V 14A D2PAK |
| 标准包装： | 800 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 14A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 200 毫欧 @ 8.4A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 58nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 760pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 3.8W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | D2PAK |
| 包装： | 带卷 (TR) |
IRF9530NS/L
100
10
VGS
TOP - 15V
- 10V
- 8.0V
- 7.0V
- 6.0V
- 5.5V
- 5.0V
BOTTOM - 4.5V
100
10
VGS
TOP - 15V
- 10V
- 8.0V
- 7.0V
- 6.0V
- 5.5V
- 5.0V
BOTTOM - 4.5V
-4.5V
1
-4 .5V
1
T c = 25°C
T T C J = = 1 75 °C
0.1
0.1
1
20 μ s P U L S E W ID TH
10 100
A
0.1
0.1
1
2 0μ s P U LS E W ID TH
175°C
10 100
A
-V D S , D rain-to-S ource V oltage (V )
Fig 1. Typical Output Characteristics
-V D S , D rain-to-S ource V oltage (V )
Fig 2. Typical Output Characteristics
100
2.5
I D = -14A
2.0
T J = 2 5 °C
10
T J = 1 7 5 °C
1.5
1.0
1
0.5
V DS = -5 0 V
0.1
4
5
6
7
2 0μ s P U L S E W ID TH
8 9
10
A
0.0
-60 -40 -20
0
V GS = -10V
20 40 60 80 100 120 140 160 180
T J , Junction Temperature ( C)
-V G S , Ga te -to-Source Volta ge (V)
Fig 3. Typical Transfer Characteristics
°
Fig 4. Normalized On-Resistance
Vs. Temperature
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRF9540NSTRR | MOSFET P-CH 100V 23A D2PAK |
| IRF9540SPBF | MOSFET P-CH 100V 19A D2PAK |
| IRF9610SPBF | MOSFET P-CH 200V 1.8A D2PAK |
| IRF9630STRLPBF | MOSFET P-CH 200V 6.5A D2PAK |
| IRF9Z14STRLPBF | MOSFET P-CH 60V 6.7A D2PAK |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRF9530NSTRRPBF | 功能描述:MOSFET 1 P-CH -100V HEXFET 200mOhms 38.7nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRF9530PBF | 功能描述:MOSFET -100V Single P-Channel HEXFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRF9530S | 功能描述:MOSFET P-Chan 100V 12 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRF9530SMD | 制造商:SEME-LAB 制造商全称:Seme LAB 功能描述:P-CHANNEL POWER MOSFET FOR HI.REL APPLICATIONS |
| IRF9530SPBF | 功能描述:MOSFET P-Chan 100V 12 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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