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参数资料
| 型号： | IRF9540SPBF |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 3/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 100V 19A D2PAK |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 19A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 200 毫欧 @ 11A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 61nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1400pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 3.7W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | D2PAK |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | IRF9540SPBFCT IRF9540SPBFCT-ND |
IRF9540S, SiHF9540S
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS (25 °C, unless otherwise noted)
10 2
Top
V GS
- 15 V
- 10 V
- 8.0 V
- 7.0 V
10 1
- 6.0 V
- 5.5 V
- 5.0 V
Bottom - 4.5 V
- 4.5 V
20 μs Pulse Width
T C = 25 °C
10 1
25 ° C
175 ° C
20 μs Pulse Width
V DS = - 50 V
10 0
10 1
4
5
6
7
8
9
10
91079_01
- V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig. 1 - Typical Output Characteristics, T C = 25 °C
V GS
91079_03
3.0
- V GS, Gate-to-Source Voltage (V)
Fig. 3 - Typical Transfer Characteristics
I D = - 19 A
Top
- 15 V
- 10 V
2.5
V GS = - 10 V
- 8.0 V
- 7.0 V
10 1
- 6.0 V
- 5.5 V
- 5.0 V
Bottom - 4.5 V
- 4.5 V
20 μs Pulse Width
2.0
1.5
1.0
0.5
T C = 175 °C
0.0
10 0
10 1
- 60- 40 - 20 0
20 40 60 80 100 120 140 160 180
91079_02
- V DS, Drain-to-Source Voltage (V)
91079_04
T J, Junction Temperature (°C)
Fig. 2 - Typical Output Characteristics, T C = 175 °C
Document Number: 91079
S11-1051-Rev. C, 30-May-11
Fig. 4 - Normalized On-Resistance vs. Temperature
www.vishay.com
3
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THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRF9540STRL | 功能描述:MOSFET P-Chan 100V 19 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRF9540STRLPBF | 功能描述:MOSFET P-Chan 100V 19 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRF9540STRR | 功能描述:MOSFET P-CH 100V 19A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| IRF9540STRRPBF | 功能描述:MOSFET P-Chan 100V 19 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRF9541 | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk |
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