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参数资料
| 型号： | IRF9Z20PBF |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 5/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 50V 9.7A TO-220AB |
| 产品目录绘图： | IR(F,L)x Series Side 1 IR(F,L)x Series Side 2 |
| 标准包装： | 1,000 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 50V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 9.7A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 280 毫欧 @ 5.6A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 26nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 480pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 40W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 |
| 供应商设备封装： | TO-220AB |
| 包装： | 管件 |
| 产品目录页面： | 1528 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | *IRF9Z20PBF |
IRF9Z20, SiHF9Z20
Vishay Siliconix
1000
V GS = 0 V, f = 1 MHz
2.0
80 μs Pulse Test
C iss = C gs + C gd , C ds Shorted
800
600
C rss = C gd
C oss = C ds + C gs C gd / (C gs + C gd )
≈ C ds + C gd
C iss
1.6
1.2
400
C oss
0.8
V GS = - 10 V
200
C rss
0.4
V GS = - 20 V
0
1
2
5
10
2
5
10 2
0.0
0
8
16
24
32
40
90121_10
Negative V DS, Drain-to-Source Voltage (V)
90121_12
Negative I D , Drain Current (A)
Fig. 9 - Typical Capacitance vs. Drain-to-Source Voltage
Fig. 11 - Typical On-Resistance vs. Drain Current
20
I D = - 9.7 A
10
16
12
8
4
V SD = - 40 V
For test circuit
8
6
4
2
IRF9Z20, SiHF9Z20
IRF9Z22, SiHF9Z22
0
see figure 17
0
0
8
16
24
32
40
25
50
75
100
125
150
90121_11
Q G , Total Gate Charge (nC)
90121_13
T C , Case Temperature (°C)
Fig. 10 - Typical Gate Charge vs. Gate-to-Source Voltage
Document Number: 90121
S11-0511-Rev. B, 21-Mar-11
Fig. 12 - Maximum Drain Current vs. Case Temperature
www.vishay.com
5
This datasheet is subject to change without notice.
THE PRODUCT DESCRIBED HEREIN AND THIS DATASHEET ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HMR3000-D21-485 | MODULE DIG COMPASS W/CASE RS485 |
| PT080-4-2 | CORD PATCH PIN TIP PLUG 4" RED |
| MG-B-4-0 | CORD PATCH MINI CLIP 4" BLACK |
| T7H8147504DN | SCR PHASE CTRL MOD 1400V 750A |
| HMR3000-D00-485 | MODULE DIGITAL COMPASS RS485 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRF9Z22 | 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:P-CHANNEL 50 VOLT POWER MOSFETs |
| IRF9Z22PBF | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Power MOSFET |
| IRF9Z24 | 功能描述:MOSFET P-Chan 60V 11 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRF9Z24L | 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:Power MOSFET(Vdss=-60V, Rds(on)=0.28ohm, Id=-11A) |
| IRF9Z24LPBF | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Power MOSFET |
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