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参数资料
| 型号： | IRF9Z20PBF |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 7/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 50V 9.7A TO-220AB |
| 产品目录绘图： | IR(F,L)x Series Side 1 IR(F,L)x Series Side 2 |
| 标准包装： | 1,000 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 50V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 9.7A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 280 毫欧 @ 5.6A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 26nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 480pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 40W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 |
| 供应商设备封装： | TO-220AB |
| 包装： | 管件 |
| 产品目录页面： | 1528 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | *IRF9Z20PBF |
IRF9Z20, SiHF9Z20
Vishay Siliconix
10 12
10 4
1
10 10
14 V
10 3
60 % UCL
0.1
10 8
16 V
90 % UCL
10 6
18 V
20 V
10 2
10
99 % UCL
20 FIT’s
10 -2
10 -3
10 4
10 2
50
70
90
110
130
150
1
50
70
90
110
130
10 -4
150
90121_18
Temperature (°C)
90121_19
Temperature (°C)
Fig. 17 - Typical Time to Accumulated 1 % Gate Failure
Fig. 18 - Typical High Temperature Reverse Bias (HTRB) Failure
Rate
Vishay Siliconix maintains worldwide manufacturing capability. Products may be manufactured at one of several qualified locations. Reliability data for Silicon
Technology and Package Reliability represent a composite of all qualified locations. For related documents such as package/tape drawings, part marking, and
reliability data, see www.vishay.com/ppg?90121 .
Document Number: 90121
S11-0511-Rev. B, 21-Mar-11
www.vishay.com
7
This datasheet is subject to change without notice.
THE PRODUCT DESCRIBED HEREIN AND THIS DATASHEET ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HMR3000-D21-485 | MODULE DIG COMPASS W/CASE RS485 |
| PT080-4-2 | CORD PATCH PIN TIP PLUG 4" RED |
| MG-B-4-0 | CORD PATCH MINI CLIP 4" BLACK |
| T7H8147504DN | SCR PHASE CTRL MOD 1400V 750A |
| HMR3000-D00-485 | MODULE DIGITAL COMPASS RS485 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRF9Z22 | 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:P-CHANNEL 50 VOLT POWER MOSFETs |
| IRF9Z22PBF | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Power MOSFET |
| IRF9Z24 | 功能描述:MOSFET P-Chan 60V 11 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRF9Z24L | 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:Power MOSFET(Vdss=-60V, Rds(on)=0.28ohm, Id=-11A) |
| IRF9Z24LPBF | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Power MOSFET |
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