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参数资料
| 型号： | IRFBA1404P |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 2/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 40V 206A SUPER-220 |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 40V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 206A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 3.7 毫欧 @ 95A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 200nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 7360pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 300W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | Super-220?-3（直引线） |
| 供应商设备封装： | SUPER-220?（TO-273AA） |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | *IRFBA1404P |
IRFBA1404P
Electrical Characteristics @ T J = 25°C (unless otherwise specified)
Parameter
Min.
Typ.
Max. Units
Conditions
V (BR)DSS
Drain-to-Source Breakdown Voltage
40
–––
––– V V GS = 0V, I D = 250μA
? V (BR)DSS / ? T J
Breakdown Voltage Temp. Coefficient
–––
0.036
–––
V/°C
Reference to 25°C, I D = 1mA
R DS(on)
Static Drain-to-Source On-Resistance
–––
–––
3.7 m ?
V GS = 10V, I D = 95A ?
––– R G = 2.5 ?
V GS(th)
g fs
I DSS
I GSS
Q g
Q gs
Q gd
t d(on)
t r
t d(off)
t f
Gate Threshold Voltage
Forward Transconductance
Drain-to-Source Leakage Current
Gate-to-Source Forward Leakage
Gate-to-Source Reverse Leakage
Total Gate Charge
Gate-to-Source Charge
Gate-to-Drain ("Miller") Charge
Turn-On Delay Time
Rise Time
Turn-Off Delay Time
Fall Time
2.0
106
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
160
35
42
17
140
72
26
4.0 V V DS = 10V, I D = 250μA
––– S V DS = 25V, I D = 60A
20 V DS = 40V, V GS = 0V
μA
250 V DS = 32V, V GS = 0V, T J = 150°C
200 V GS = 20V
nA
-200 V GS = -20V
200 I D = 95A
––– nC V DS = 32V
60 V GS = 10V
––– V DD = 20V
––– I D = 95A
ns
––– R D = 0.21 ? ?
L D
L S
Internal Drain Inductance
Internal Source Inductance
–––
–––
2.0
5.0
–––
–––
nH
Between lead,
6mm (0.25in.)
from package
and center of die contact
G
D
S
C iss
C oss
C rss
C oss
C oss
C oss eff.
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Output Capacitance
Output Capacitance
Effective Output Capacitance ?
–––
–––
–––
–––
–––
–––
7360
1680
240
6630
1490
1540
––– V GS = 0V
––– V DS = 25V
––– pF ? = 1.0MHz, See Fig. 5
––– V GS = 0V, V DS = 1.0V, ? = 1.0MHz
––– V GS = 0V, V DS = 32V, ? = 1.0MHz
––– V GS = 0V, V DS = 0V to 32V
Source-Drain Ratings and Characteristics
Parameter
Min. Typ. Max. Units
Conditions
I S
I SM
Continuous Source Current
(Body Diode)
Pulsed Source Current
(Body Diode) ?
––– ––– 206 ?
––– ––– 650
A
MOSFET symbol
showing the
integral reverse
p-n junction diode.
G
D
S
V SD
Diode Forward Voltage
––– ––– 1.3 V T J = 25°C, I S = 95A, V GS = 0V
?
t rr
Q rr
t on
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Charge
Forward Turn-On Time
––– 71 110 ns T J = 25°C, I F = 95A
––– 180 270 nC di/dt = 100A/μs ?
Intrinsic turn-on time is negligible (turn-on is dominated by L S +L D )
Thermal Resistance
Parameter
Typ.
Max.
Units
R θ JC
Junction-to-Case
–––
0.50
R θ CS
R θ JA
Case-to-Sink, Flat, Greased Surface
Junction-to-Ambient
0.5
–––
–––
58
°C/W
2
www.irf.com
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| IRFBA1405PPBF-ND | 制造商: 功能描述: 制造商:undefined 功能描述: |
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