- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录445 > IRFH7921TRPBF (International Rectifier)MOSFET N-CH 30V 15A PQFN56 Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | IRFH7921TRPBF |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 1/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 15A PQFN56 |
| 产品目录绘图： | IR Hexfet PQFN |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 15A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 8.5 毫欧 @ 15A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.35V @ 25µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 14nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1210pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 3.1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-PowerVDFN |
| 供应商设备封装： | PQFN（5x6）单芯片焊盘 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1524 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | IRFH7921TRPBFDKR |
IRFH7921PbF
Applications
HEXFET ? Power MOSFET
l
l
High Frequency Point-of-Load Synchronous Buck
Converter for Applications in Neworking &
Computing Systems
Optimized for Control FET Applications
V DSS
30V
R DS(on) max Qg
8.5m ? @V GS = 10V 9.3nC
Benefits
l
l
l
Very low R DS(ON) at 4.5V V GS
Low Gate Charge
Fully Characterized Avalanche Voltage and
Current
l
l
l
l
l
100% Tested for R G
Lead-Free (Qualified up to 260°C Reflow)
RoHS compliant (Halogen Free)
Low Thermal Resistance
Large Source Lead for more reliable Soldering
PQFN 5X6 mm
Absolute Maximum Ratings
Parameter
Max.
Units
V DS
V GS
I D @ T A = 25°C
I D @ T A = 70°C
I D @ T C = 25°C
I DM
P D @T A = 25°C
P D @T A = 70°C
T J
T STG
Drain-to-Source Voltage
Gate-to-Source Voltage
Continuous Drain Current, V GS @ 10V
Continuous Drain Current, V GS @ 10V
Continuous Drain Current, V GS @ 10V
Pulsed Drain Current
Power Dissipation
Power Dissipation
Linear Derating Factor
Operating Junction and
Storage Temperature Range
30
± 20
15
12
34
120
3.1
2.0
0.025
-55 to + 150
V
A
W
W/°C
°C
Thermal Resistance
Parameter
Typ.
Max.
Units
R θ JC
R θ JA
Junction-to-Case
Junction-to-Ambient
–––
–––
7.9
40
°C/W
Notes ? through ? are on page 9
1
www.irf.com ? 2013 International Rectifier
August 16, 2013
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRFH7923TRPBF | MOSFET N-CH 30V 15A PQFN56 |
| IRFHS9301TR2PBF | MOSFET P-CH 30V 6A PQFN |
| IRFI1310N | MOSFET N-CH 100V 24A TO220FP |
| IRFI520N | MOSFET N-CH 100V 7.6A TO220FP |
| IRFI530N | MOSFET N-CH 100V 12A TO220FP |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRFH7923PBF | 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:HEXFET㈢ Power MOSFET |
| IRFH7923TRPBF | 功能描述:MOSFET N-CH 30V 15A PQFN56 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| IRFH7928PBF | 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:HEXFETPower MOSFET |
| IRFH7928TRPBF | 制造商:International Rectifier 功能描述: |
| IRFH7932PBF | 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 30V 24A 8-Pin PQFN |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。