参数资料
型号: IRFH7921TRPBF
厂商: International Rectifier
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描述: MOSFET N-CH 30V 15A PQFN56
产品目录绘图: IR Hexfet PQFN
标准包装: 1
系列: HEXFET®
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 15A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 8.5 毫欧 @ 15A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 2.35V @ 25µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 14nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 1210pF @ 15V
功率 - 最大: 3.1W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 8-PowerVDFN
供应商设备封装: PQFN(5x6)单芯片焊盘
包装: 标准包装
产品目录页面: 1524 (CN2011-ZH PDF)
其它名称: IRFH7921TRPBFDKR
IRFH7921PbF
16
14
12
10
2.5
2.0
8
6
4
2
0
1.5
1.0
0.5
ID = 25μA
25
50
75
100
125
150
-75 -50 -25
0
25
50
75 100 125 150
100
T J , Junction Temperature (°C)
Fig 9. Maximum Drain Current vs.
Ambient Temperature
D = 0.50
T J , Temperature ( °C )
Fig 10. Threshold Voltage vs. Temperature
10
0.20
0.10
0.05
τ 4
1
0.1
0.02
0.01
τ J
R 1
R 1
τ J
τ 1
τ 1
Ci= τ i / Ri
Ci= τ i / Ri
τ 2
R 2
R 2
τ 2
R 3
R 3
τ 3
τ 3
R 4
R 4
τ 4
τ A
τ A
Ri (°C/W)
2.4768
6.6412
15.997
14.892
τ i (sec)
0.000496
0.014506
0.80399
34.4
0.01
SINGLE PULSE
( THERMAL RESPONSE )
Notes:
1. Duty Factor D = t1/t2
2. Peak Tj = P dm x Zthja + T A
0.001
1E-006
1E-005
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
t1 , Rectangular Pulse Duration (sec)
Fig 11. Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Ambient
5
www.irf.com ? 2013 International Rectifier
August 16, 2013
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PDF描述
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