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参数资料
| 型号： | IRFH7921TRPBF |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 9/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 15A PQFN56 |
| 产品目录绘图： | IR Hexfet PQFN |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 15A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 8.5 毫欧 @ 15A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.35V @ 25µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 14nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1210pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 3.1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-PowerVDFN |
| 供应商设备封装： | PQFN（5x6）单芯片焊盘 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1524 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | IRFH7921TRPBFDKR |
IRFH7921PbF
PQFN Tape and Reel
Note: For the most current drawing please refer to IR website at http://www.irf.com/package/
Notes:
? Repetitive rating; pulse width limited by max. junction temperature.
? Starting T J = 25°C, L = 0.39mH, R G = 25 ? , I AS = 12A.
? Pulse width ≤ 400μs; duty cycle ≤ 2%.
? Rthjc is guaranteed by design
? When mounted on 1 inch square 2 oz copper pad on 1.5x1.5 in. board of FR-4 material.
Revision History
Date
08/05/2013
Comments
? Updated the package drawing, on page 1.
? Updated the package outline drawing, on page 8.
? This drawing change is related to PCN "Hana-GTBF-GEM 5x6 PQFN
Public."
IR WORLD HEADQUARTERS: 101 N. Sepulveda Blvd., El Segundo, California 90245, USA
To contact International Rectifier, please visit http://www.irf.com/whoto-call/
9
www.irf.com ? 2013 International Rectifier
August 16, 2013
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRFH7923TRPBF | MOSFET N-CH 30V 15A PQFN56 |
| IRFHS9301TR2PBF | MOSFET P-CH 30V 6A PQFN |
| IRFI1310N | MOSFET N-CH 100V 24A TO220FP |
| IRFI520N | MOSFET N-CH 100V 7.6A TO220FP |
| IRFI530N | MOSFET N-CH 100V 12A TO220FP |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRFH7923PBF | 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:HEXFET㈢ Power MOSFET |
| IRFH7923TRPBF | 功能描述:MOSFET N-CH 30V 15A PQFN56 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| IRFH7928PBF | 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:HEXFETPower MOSFET |
| IRFH7928TRPBF | 制造商:International Rectifier 功能描述: |
| IRFH7932PBF | 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 30V 24A 8-Pin PQFN |
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