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参数资料
| 型号： | IRFH7921TRPBF |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 4/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 15A PQFN56 |
| 产品目录绘图： | IR Hexfet PQFN |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 15A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 8.5 毫欧 @ 15A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.35V @ 25µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 14nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1210pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 3.1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-PowerVDFN |
| 供应商设备封装： | PQFN（5x6）单芯片焊盘 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1524 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | IRFH7921TRPBFDKR |
IRFH7921PbF
10000
VGS = 0V, f = 1 MHZ
Ciss = Cgs + Cgd, C ds SHORTED
Crss = Cgd
Coss = Cds + Cgd
5.0
4.0
ID= 12A
VDS= 24V
VDS= 15V
Ciss
3.0
1000
2.0
Coss
1.0
Crss
100
0.0
1
10
100
0
2
4
6
8
10
12
1000
100
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 5. Typical Capacitance vs.
Drain-to-Source Voltage
1000
100
Q G , Total Gate Charge (nC)
Fig 6. Typical Gate Charge vs.
Gate-to-Source Voltage
OPERATION IN THIS AREA
LIMITED BY R DS(on)
100μsec
1msec
10
1
T J = 150°C
T J = 25°C
10
1
DC
T A = 25°C
10msec
0.1
VGS = 0V
0.1
Tj = 150°C
Single Pulse
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
0
1
10
100
VSD, Source-to-Drain Voltage (V)
Fig 7. Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 8. Maximum Safe Operating Area
4
www.irf.com ? 2013 International Rectifier
August 16, 2013
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRFH7923TRPBF | MOSFET N-CH 30V 15A PQFN56 |
| IRFHS9301TR2PBF | MOSFET P-CH 30V 6A PQFN |
| IRFI1310N | MOSFET N-CH 100V 24A TO220FP |
| IRFI520N | MOSFET N-CH 100V 7.6A TO220FP |
| IRFI530N | MOSFET N-CH 100V 12A TO220FP |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRFH7923PBF | 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:HEXFET㈢ Power MOSFET |
| IRFH7923TRPBF | 功能描述:MOSFET N-CH 30V 15A PQFN56 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| IRFH7928PBF | 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:HEXFETPower MOSFET |
| IRFH7928TRPBF | 制造商:International Rectifier 功能描述: |
| IRFH7932PBF | 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 30V 24A 8-Pin PQFN |
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