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参数资料
| 型号： | IRFH7921TRPBF |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 7/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 15A PQFN56 |
| 产品目录绘图： | IR Hexfet PQFN |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 15A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 8.5 毫欧 @ 15A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.35V @ 25µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 14nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1210pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 3.1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-PowerVDFN |
| 供应商设备封装： | PQFN（5x6）单芯片焊盘 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1524 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | IRFH7921TRPBFDKR |
IRFH7921PbF
D.U.T
+
Driver Gate Drive
P.W.
Period
D=
P.W.
Period
+
?
-
Circuit Layout Considerations
? Low Stray Inductance
? Ground Plane
? Low Leakage Inductance
Current Transformer
D.U.T. I SD Waveform
V GS =10V *
D.U.T. V DS Waveform
?
?
-
R G
- ? +
? dv/dt controlled by R G
? Driver same type as D.U.T.
? I SD controlled by Duty Factor "D"
? D.U.T. - Device Under Test
V DD
+
-
Reverse
Recovery
Current
Re-Applied
Voltage
Inductor Curent
Body Diode Forward
Current
di/dt
Diode Recovery
dv/dt
Body Diode Forward Drop
V DD
Ripple ≤ 5%
* V GS = 5V for Logic Level Devices
Fig 16. Peak Diode Recovery dv/dt Test Circuit for N-Channel
HEXFET ? Power MOSFETs
I SD
Current Regulator
Same Type as D.U.T.
50K ?
Vds
Vgs
Id
- DS
12V
.2 μ F
.3 μ F
D.U.T.
+
V
Vgs(th)
V GS
3mA
I G
I D
Qgs1 Qgs2
Qgd
Qgodr
Current Sampling Resistors
Fig 17. Gate Charge Test Circuit
Fig 18. Gate Charge Waveform
7
www.irf.com ? 2013 International Rectifier
August 16, 2013
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRFH7923TRPBF | MOSFET N-CH 30V 15A PQFN56 |
| IRFHS9301TR2PBF | MOSFET P-CH 30V 6A PQFN |
| IRFI1310N | MOSFET N-CH 100V 24A TO220FP |
| IRFI520N | MOSFET N-CH 100V 7.6A TO220FP |
| IRFI530N | MOSFET N-CH 100V 12A TO220FP |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRFH7923PBF | 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:HEXFET㈢ Power MOSFET |
| IRFH7923TRPBF | 功能描述:MOSFET N-CH 30V 15A PQFN56 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| IRFH7928PBF | 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:HEXFETPower MOSFET |
| IRFH7928TRPBF | 制造商:International Rectifier 功能描述: |
| IRFH7932PBF | 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 30V 24A 8-Pin PQFN |
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