参数资料
型号: IRFH7921TRPBF
厂商: International Rectifier
文件页数: 8/9页
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 30V 15A PQFN56
产品目录绘图: IR Hexfet PQFN
标准包装: 1
系列: HEXFET®
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 15A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 8.5 毫欧 @ 15A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 2.35V @ 25µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 14nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 1210pF @ 15V
功率 - 最大: 3.1W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 8-PowerVDFN
供应商设备封装: PQFN(5x6)单芯片焊盘
包装: 标准包装
产品目录页面: 1524 (CN2011-ZH PDF)
其它名称: IRFH7921TRPBFDKR
IRFH7921PbF
PQFN 5x6 Option "E" Package Details
PQFN Part Marking
INTERNATIONAL
RECTIFIER LOGO
DATE CODE
XXXX
6
PART NUMBER
ASSEMBLY SITE CODE
(Per SCOP 200-002)
XYWWX
MARKING CODE
(Per Marking Spec.)
XXXXX
PIN 1
IDENTIFIER
LOT CODE
(Eng Mode - Min. last 4 digits of EATI #)
(Prod Mode - 4 digits SPN code)
TOP MARKING (LASER)
Note: For the most current drawing please refer to IR website at http://www.irf.com/package/
8
www.irf.com ? 2013 International Rectifier
August 16, 2013
相关PDF资料
PDF描述
IRFH7923TRPBF MOSFET N-CH 30V 15A PQFN56
IRFHS9301TR2PBF MOSFET P-CH 30V 6A PQFN
IRFI1310N MOSFET N-CH 100V 24A TO220FP
IRFI520N MOSFET N-CH 100V 7.6A TO220FP
IRFI530N MOSFET N-CH 100V 12A TO220FP
相关代理商/技术参数
参数描述
IRFH7923PBF 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:HEXFET㈢ Power MOSFET
IRFH7923TRPBF 功能描述:MOSFET N-CH 30V 15A PQFN56 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRFH7928PBF 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:HEXFETPower MOSFET
IRFH7928TRPBF 制造商:International Rectifier 功能描述:
IRFH7932PBF 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 30V 24A 8-Pin PQFN