型号: | IRFD211 |
厂商: | HARRIS SEMICONDUCTOR |
元件分类: | 小信号晶体管 |
英文描述: | 600 mA, 150 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
文件页数: | 1/5页 |
文件大小: | 171K |
代理商: | IRFD211 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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IRFI644G | 7.9 A, 250 V, 0.28 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
IRFL214 | 790 mA, 250 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
IRFM014AD84Z | 2.8 A, 60 V, 0.14 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
IRFP054PBF | 70 A, 60 V, 0.014 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247AC |
IRFP140 | 31 A, 100 V, 0.077 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247AC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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IRFD211R | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 150V V(BR)DSS | 600MA I(D) | TO-250VAR |
IRFD212 | 制造商:HARRIS 制造商全称:HARRIS 功能描述:0.6A AND 0.45A, 150V AND 200V, 1.5 AND 2.4 OHM, N-CHANNEL POWER MOSFETS |
IRFD212R | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 450MA I(D) | TO-250VAR |
IRFD213 | 功能描述:MOSFET N-Chan 200V 0.6 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
IRFD213R | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 150V V(BR)DSS | 450MA I(D) | TO-250VAR |