型号: | IRFD9110 |
厂商: | Harris Corporation |
英文描述: | -0.6A and -0.7A, -80V and -100V, 1.2 and 1.6 Ohm, P-Channel Power MOSFETs |
中文描述: | - 0.6A的和- 0.7A的,- 80V和- 100V的,1.2和1.6欧姆,P沟道功率MOSFET |
文件页数: | 4/7页 |
文件大小: | 93K |
代理商: | IRFD9110 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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IRFD9110 | 0.7A, 100V, 1.200 Ohm, P-Channel Power MOSFET |
IRFD9110 | Power MOSFET(Vdss=-100V, Rds(on)=1.2ohm, Id=-0.70A) |
IRFI530A | Advanced Power MOSFET |
IRFW530A | Advanced Power MOSFET |
IRFI540A | Advanced Power MOSFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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IRFD9110PBF | 功能描述:MOSFET P-Chan 100V 0.7 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
IRFD9112 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 600MA I(D) | TO-250VAR |
IRFD9113 | 功能描述:MOSFET P-Chan 100V 0.7 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
IRFD9120 | 功能描述:MOSFET P-Chan 100V 1.0 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
IRFD9120PBF | 功能描述:MOSFET P-Chan 100V 1.0 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |