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参数资料
| 型号： | IRFDC20 |
| 厂商： | International Rectifier |
| 英文描述： | Power MOSFET(Vdss=600V, Rds(on)=4.4ohm, Id=0.32A) |
| 中文描述： | 功率MOSFET（减振钢板基本\u003d 600V电压的Rds（on）\u003d 4.4ohm，身份证\u003d 0.32A） |
| 文件页数： | 6/8页 |
| 文件大小： | 464K |
| 代理商： | IRFDC20 |
IRFDC20
Fig 13a.
Basic Gate Charge Waveform
Fig 12b.
Unclamped Inductive Waveforms
Fig 12a.
Unclamped Inductive Test Circuit
Fig 13b.
Gate Charge Test Circuit
Fig 12c.
Maximum Avalanche Energy
Vs. Drain Current
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Index
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相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRFE210 | HEXFET Transistor(HEXFET 晶体管) |
| IRFE9210 | REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED HEXFET TRANSISTORS SURFACE MOUNT (LCC-18) |
| IRFF024 | 60V, N-CHANNEL |
| IRFI064 | TRANSISTOR N-CHANNEL(Vdss=60V, Rds(on)=0.017ohm, Id=45A*) |
| IRFI1010N | N-Channel HEXFET Power MOSFET(N沟道 HEXFET 功率MOS场效应管) |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRFDC20PBF | 功能描述:MOSFET N-Chan 600V 0.32 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFE024 | 制造商:SEME-LAB 制造商全称:Seme LAB 功能描述:N-CHANNEL POWER MOSFET |
| IRFE024SCV | 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 60V 6.7A 18PIN LCC - Bulk |
| IRFE024SCX | 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 60V 6.7A 18LLCC - Bulk |
| IRFE110 | 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 100V 3.5A 18-Pin LLCC 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 100V 3.5A 18PIN LCC - Bulk 制造商:International Rectifier 功能描述:N CHANNEL MOSFET, 100V, 3.5A, LCC; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:3.5A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):600mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:4V ;RoHS Compliant: No |
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