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参数资料
| 型号： | IRFI630B |
| 厂商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分类： | JFETs |
| 英文描述： | 200V N-Channel MOSFET |
| 中文描述： | 9 A, 200 V, 0.4 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封装： | I2PAK-3 |
| 文件页数： | 6/9页 |
| 文件大小： | 648K |
| 代理商： | IRFI630B |
2002 Fairchild Semiconductor Corporation
Rev. C, December 2002
I
Peak Diode Recovery dv/dt Test Circuit & Waveforms
DUT
V
DS
+
_
Driver
R
G
as DUT
V
GS
I
SD
controlled by pulse period
V
DD
L
I
SD
10V
V
GS
( Driver )
I
SD
( DUT )
V
DS
( DUT )
V
DD
Forward Voltage Drop
V
SD
I
FM
, Body Diode Forward Current
Body Diode Reverse Current
I
RM
Body Diode Recovery dv/dt
di/dt
D =
Gate Pulse Period
-Gate Pulse Width
-Gate Pulse Width
Same Type
dv/dt controlled by R
G
Body Diode
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRFW634B | 250V N-Channel MOSFET |
| IRFI634 | 250V N-Channel MOSFET |
| IRFI634B | 250V N-Channel MOSFET |
| IRFW720S | N-Channel Power MOSFET（400V，1.8Ω，3.3A）(N沟道功率MOS场效应管（漏源电压400V，导通电阻1.8Ω，漏电流3.3A）) |
| IRFW740S | 400V N-Channel Power MOSFET(漏源电压为400V的N沟道增强型功率MOS场效应管) |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRFI630BTLTU_FP001 | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFI630BTU | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述: |
| IRFI630BTU_FP001 | 功能描述:MOSFET 200V N-Ch B-FET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFI630G | 功能描述:MOSFET N-Chan 200V 5.9 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFI630GPBF | 功能描述:MOSFET N-Chan 200V 5.9 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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