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参数资料
型号： IRFI9610GPBF
厂商： International Rectifier
英文描述： HEXFET POWER MOSFET
中文描述： HEXFET功率MOSFET
文件页数： 4/8页
文件大小： 212K
代理商： IRFI9610GPBF
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0.0
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
-VSD, Source-toDrain Voltage (V)
0.1
1.0
10.0
-S
TJ = 25°C
TJ = 150°C
VGS = 0V
1
10
100
-VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
0
50
100
150
200
250
300
350
400
C
Coss
Crss
Ciss
VGS = 0V, f = 1 MHZ
Ciss = Cgs + Cgd, Cds SHORTED
Crss = Cgd
Coss = Cds + Cgd
0
2
4
6
8
10
12
14
QG Total Gate Charge (nC)
0
4
8
12
16
20
-G
VDS= -160V
VDS= -100V
VDS= -40V
ID= -2.0A
FOR TEST CIRCUIT
SEE FIGURE 13
10
100
1000
-VDS , Drain-toSource Voltage (V)
0.1
1
10
100
-D
Tc = 25°C
Tj = 150°C
Single Pulse
1msec
10msec
OPERATION IN THIS AREA
LIMITED BY RDS(on)
100μsec
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PDF描述
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IRFI9630GPBF 功能描述:MOSFET P-Chan 200V 4.3 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
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