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参数资料
型号： IRFI9610GPBF
厂商： International Rectifier
英文描述： HEXFET POWER MOSFET
中文描述： HEXFET功率MOSFET
文件页数： 6/8页
文件大小： 212K
代理商： IRFI9610GPBF
+ )
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Q
G
Q
GS
Q
GD
V
G
Charge
#
D.U.T.
V
DS
+
I
D
I
G
-3mA
V
GS
.3
μ
F
50K
.2
μ
F
12V
Current Regulator
Same Type as D.U.T.
Current Sampling Resistors
-
41/./%
41/
tp
V
(BR)DSS
I
AS
R
G
I
AS
0.01
t
p
D.U.T
L
V
DS
V
DD
DRIVER
A
15V
-20V
25
50
75
100
125
150
Starting TJ, Junction Temperature (°C)
0
40
80
120
160
200
240
EA
ID
TOP
-0.9A
-1.3A
BOTTOM
-2.0A
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IRFI9630GPBF 功能描述:MOSFET P-Chan 200V 4.3 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
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