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参数资料
| 型号： | IRFI9Z14G-015PBF |
| 元件分类： | JFETs |
| 英文描述： | 5.3 A, 60 V, 0.5 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
| 封装： | TO-220, 3 PIN |
| 文件页数： | 1/1页 |
| 文件大小： | 46K |
| 代理商： | IRFI9Z14G-015PBF |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRFP332 | 4.5 A, 400 V, 1.5 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-3P |
| IRFP460ASPBF | 20 A, 500 V, 0.27 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| IRFZ24-019 | 17 A, 60 V, 0.1 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
| IRFZ48-017PBF | 50 A, 60 V, 0.018 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
| IRGAC50F | 45 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-204AE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRFI9Z14GPBF | 功能描述:MOSFET P-Chan 60V 5.3 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFI9Z24G | 功能描述:MOSFET P-Chan 60V 8.5 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFI9Z24GPBF | 功能描述:MOSFET P-Chan 60V 8.5 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFI9Z24N | 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:HEXFET Power MOSFET |
| IRFI9Z34G | 功能描述:MOSFET P-Chan 60V 12 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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