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参数资料
| 型号： | IRFIZ24E |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 3/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 60V 14A TO220FP |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 14A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 71 毫欧 @ 7.8A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 20nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 370pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 29W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 整包 |
| 供应商设备封装： | TO-220AB 整包 |
| 包装： | 管件 |
IRFIZ24E
100
10
VGS
TOP 15V
10V
8.0V
7.0V
6.0V
5.5V
5.0V
BOTT OM 4.5V
100
10
VGS
TOP 15V
10V
8.0V
7.0V
6.0V
5.5V
5.0V
BOTT OM 4.5V
4 .5V
4 .5V
2 0μ s PU LSE W ID TH
20 μs P UL SE W IDTH
1
0.1
1
T C = 2 5°C
10
A
100
1
0.1
1
T C = 17 5°C
10
100
A
V D S , D rain-to-S ource V oltage (V )
Fig 1. Typical Output Characteristics
V D S , Drain-to-Source V oltage (V)
Fig 2. Typical Output Characteristics
100
T J = 2 5 ° C
3.0
2.5
I D = 1 7A
10
T J = 1 7 5 °C
2.0
1.5
1.0
0.5
V DS = 2 5 V
1
4
5
6
7
2 0 μ s P U L SE W ID TH
8 9
10
A
0.0
-60
-40 -20
0
20
40
60
80
V G S = 10 V
A
100 120 140 160 180
V G S , Ga te-to-S o urce V oltage (V )
Fig 3. Typical Transfer Characteristics
T J , Junction T em perature (°C )
Fig 4. Normalized On-Resistance
Vs. Temperature
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRFIZ34E | MOSFET N-CH 60V 21A TO220FP |
| IRFIZ46NPBF | MOSFET N-CH 55V 33A TO220FP |
| IRFIZ46N | MOSFET N-CH 55V 33A TO220FP |
| IRFIZ48NPBF | MOSFET N-CH 55V 40A TO220FP |
| IRFIZ48N | MOSFET N-CH 55V 36A TO220FP |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRFIZ24EPBF | 功能描述:MOSFET 60V 1 N-CH HEXFET 71mOhms 13.3nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFIZ24G | 功能描述:MOSFET N-Chan 60V 14 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFIZ24G_09 | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Power MOSFET |
| IRFIZ24GPBF | 功能描述:MOSFET N-Chan 60V 14 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFIZ24N | 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET N FULLPAK ((NW)) |
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