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参数资料
| 型号： | IRFIZ24E |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 5/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 60V 14A TO220FP |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 14A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 71 毫欧 @ 7.8A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 20nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 370pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 29W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 整包 |
| 供应商设备封装： | TO-220AB 整包 |
| 包装： | 管件 |
IRFIZ24E
15
12
R G
V GS
V DS
R D
D.U.T.
+
- V DD
9
10V
Pulse Width ≤ 1 μs
Duty Factor ≤ 0.1 %
6
Fig 10a. Switching Time Test Circuit
3
V DS
90%
0
25
50
75
100
125
150
175
T C , Case Temperature
( ° C)
10%
Fig 9. Maximum Drain Current Vs.
Case Temperature
V GS
t d(on)
t r
t d(off)
t f
Fig 10b. Switching Time Waveforms
10
D = 0.50
1
0.20
0.10
0.05
0.02
0.1
0.01
SINGLE PULSE
(THERMAL RESPONSE)
Notes:
1. Duty factor D =
P DM
t 1 / t 2
t 1
t 2
2. Peak T J = P DM x Z thJC + T C
0.01
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
t 1 , Rectangular Pulse Duration (sec)
Fig 11. Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Case
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRFIZ34E | MOSFET N-CH 60V 21A TO220FP |
| IRFIZ46NPBF | MOSFET N-CH 55V 33A TO220FP |
| IRFIZ46N | MOSFET N-CH 55V 33A TO220FP |
| IRFIZ48NPBF | MOSFET N-CH 55V 40A TO220FP |
| IRFIZ48N | MOSFET N-CH 55V 36A TO220FP |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRFIZ24EPBF | 功能描述:MOSFET 60V 1 N-CH HEXFET 71mOhms 13.3nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFIZ24G | 功能描述:MOSFET N-Chan 60V 14 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFIZ24G_09 | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Power MOSFET |
| IRFIZ24GPBF | 功能描述:MOSFET N-Chan 60V 14 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFIZ24N | 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET N FULLPAK ((NW)) |
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