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参数资料
型号： IRFIZ34E
厂商： International Rectifier
文件页数： 2/9页
文件大小： 0K
描述： MOSFET N-CH 60V 21A TO220FP
标准包装： 50
系列： HEXFET®
FET 型： MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点： 标准
漏极至源极电压(Vdss)： 60V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： 21A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： 42 毫欧 @ 11A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）： 4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs： 34nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds： 700pF @ 25V
功率 - 最大： 37W
安装类型： 通孔
封装/外壳： TO-220-3 整包
供应商设备封装： TO-220AB 整包
包装： 管件
其它名称： *IRFIZ34E
IRFIZ34E
Electrical Characteristics @ T J = 25°C (unless otherwise specified)
Parameter
Min.
Typ.
Max. Units
Conditions
V (BR)DSS
? V (BR)DSS / ? T J
Drain-to-Source Breakdown Voltage
Breakdown Voltage Temp. Coefficient
60
–––
–––
0.052
––– V V GS = 0V, I D = 250μA
––– V/°C Reference to 25°C, I D = 1mA ?
R DS(on)
Static Drain-to-Source On-Resistance
–––
–––
0.042
?
V GS = 10V, I D = 11A ?
––– R G = 18 ?
V GS(th)
g fs
I DSS
I GSS
Q g
Q gs
Q gd
t d(on)
t r
t d(off)
t f
Gate Threshold Voltage
Forward Transconductance
Drain-to-Source Leakage Current
Gate-to-Source Forward Leakage
Gate-to-Source Reverse Leakage
Total Gate Charge
Gate-to-Source Charge
Gate-to-Drain ("Miller") Charge
Turn-On Delay Time
Rise Time
Turn-Off Delay Time
Fall Time
2.0
6.5
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
7.0
49
31
40
4.0 V V DS = V GS , I D = 250μA
––– S V DS = 25V, I D = 16A ?
25 V DS = 60V, V GS = 0V
μA
250 V DS = 48V, V GS = 0V, T J = 150°C
100 V GS = 20V
nA
-100 V GS = -20V
34 I D = 16A
6.8 nC V DS = 44V
14 V GS = 10V, See Fig. 6 and 13 ??
––– V DD = 28V
––– I D = 16A
ns
––– R D = 1.8 ?, See Fig. 10 ??
L D
L S
Internal Drain Inductance
Internal Source Inductance
–––
–––
4.5
7.5
–––
–––
nH
Between lead,
6mm (0.25in.)
from package
and center of die contact
G
D
S
––– V DS = 25V
C iss
C oss
C rss
C
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Drain to Sink Capacitance
–––
–––
–––
–––
700
240
100
12
––– V GS = 0V
pF
––– ? = 1.0MHz, See Fig. 5 ?
––– ? = 1.0MHz
Source-Drain Ratings and Characteristics
Parameter
Min. Typ. Max. Units
Conditions
I S
I SM
Continuous Source Current
(Body Diode)
Pulsed Source Current
(Body Diode) ??
––– –––
––– –––
21
100
A
MOSFET symbol
showing the
integral reverse
p-n junction diode.
G
D
S
V SD
t rr
Q rr
t on
Notes:
Diode Forward Voltage
Reverse Recovery Time
Reverse RecoveryCharge
Forward Turn-On Time
––– ––– 1.6 V T J = 25°C, I S = 11A, V GS = 0V ?
––– 57 86 ns T J = 25°C, I F = 16A
––– 130 200 μC di/dt = 100A/μs ??
Intrinsic turn-on time is negligible (turn-on is dominated by L S +L D )
? Repetitive rating; pulse width limited by
max. junction temperature. ( See fig. 11 )
? V DD = 25V, starting T J = 25°C, L = 610μH
R G = 25 ? , I AS = 16A. (See Figure 12)
? I SD ≤ 16A, di/dt ≤ 420A/μs, V DD ≤ V (BR)DSS ,
T J ≤ 175°C
? Pulse width ≤ 300μs; duty cycle ≤ 2%.
? t=60s, ?=60Hz
? Uses IRFZ34N data and test conditions
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PDF描述
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参数描述
IRFIZ34EPBF 功能描述:MOSFET 60V 1 N-CH HEXFET 42mOhms 2.7nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFIZ34G 功能描述:MOSFET N-Chan 60V 20 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFIZ34G_09 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Power MOSFET
IRFIZ34GPBF 功能描述:MOSFET N-Chan 60V 20 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFIZ34N 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=0.04ohm, Id=21A)
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