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参数资料
| 型号： | IRFIZ34E |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 8/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 60V 21A TO220FP |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 21A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 42 毫欧 @ 11A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 34nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 700pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 37W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 整包 |
| 供应商设备封装： | TO-220AB 整包 |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | *IRFIZ34E |
IRFIZ34E
Package Outline
TO-220 Fullpak Outline
Dimensions are shown in millimeters (inches)
10.60 (.41 7)
10.40 (.40 9)
?
3.40 (.133 )
3.10 (.123 )
-A -
4.8 0 (.189)
4.6 0 (.181)
2 .80 (.110)
2 .60 (.102)
3.70 (.145)
LE AD A S SIGN M E N T S
3.20 (.126)
7 .10 (.280)
6 .70 (.263)
1 - GA TE
2 - D R AIN
3 - SO U R C E
16 .0 0 (.630)
15 .8 0 (.622)
1.15 (.04 5)
M IN .
N O T ES :
1 D IM EN SION IN G & T O LER A N C IN G
PE R AN S I Y14.5 M , 1982
1
2
3
2 C O N TR OLLIN G D IM EN S ION : IN C H .
3.30 (.130 )
3.10 (.122 )
-B-
13 .7 0 (.540)
13 .5 0 (.530)
C
D
0.44 (.017)
1.40 (.05 5)
3X
1.05 (.04 2)
2 .54 (.100)
0.9 0 (.035)
3X 0.7 0 (.028)
0.25 (.010 )
M
A M
B
0.48 (.019)
3X
2.85 (.112 )
2.65 (.104 )
A
B
M IN IM U M C R E EP AG E
D IST A NC E B ET W E EN
2X
Part Marking Information
TO-220 Fullpak
E XAM P LE : TH IS IS A N IR FI8 4 0 G
A-B -C -D = 4.80 (.189 )
W ITH ASS EM B LY
L O T C O D E E4 0 1
IN TE R N AT IO N AL
R E C TIFIER
IR FI8 4 0G
A
P AR T N U M BE R
L O GO
E 40 1 92 4 5
AS SE MB L Y
LOT CO DE
D AT E C O D E
(YYW W )
YY = YE AR
W W = W E EK
WORLD HEADQUARTERS: 233 Kansas St., El Segundo, California 90245, Tel: (310) 322 3331
EUROPEAN HEADQUARTERS: Hurst Green, Oxted, Surrey RH8 9BB, UK Tel: ++ 44 1883 732020
IR CANADA: 7321 Victoria Park Ave., Suite 201, Markham, Ontario L3R 2Z8, Tel: (905) 475 1897
IR GERMANY: Saalburgstrasse 157, 61350 Bad Homburg Tel: ++ 49 6172 96590
IR ITALY: Via Liguria 49, 10071 Borgaro, Torino Tel: ++ 39 11 451 0111
IR FAR EAST: K&H Bldg., 2F, 30-4 Nishi-Ikebukuro 3-Chome, Toshima-Ku, Tokyo Japan 171 Tel: 81 3 3983 0086
IR SOUTHEAST ASIA: 315 Outram Road, #10-02 Tan Boon Liat Building, Singapore 0316 Tel: 65 221 8371
http://www.irf.com/ Data and specifications subject to change without notice. 9/97
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRFIZ46NPBF | MOSFET N-CH 55V 33A TO220FP |
| IRFIZ46N | MOSFET N-CH 55V 33A TO220FP |
| IRFIZ48NPBF | MOSFET N-CH 55V 40A TO220FP |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRFIZ34EPBF | 功能描述:MOSFET 60V 1 N-CH HEXFET 42mOhms 2.7nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFIZ34G | 功能描述:MOSFET N-Chan 60V 20 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFIZ34G_09 | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Power MOSFET |
| IRFIZ34GPBF | 功能描述:MOSFET N-Chan 60V 20 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFIZ34N | 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=0.04ohm, Id=21A) |
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