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参数资料
| 型号： | IRFIZ34G |
| 厂商： | International Rectifier |
| 英文描述： | HEXFET POWER MOSFET |
| 中文描述： | HEXFET功率MOSFET |
| 文件页数： | 2/6页 |
| 文件大小： | 285K |
| 代理商： | IRFIZ34G |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRFIZ44G | HEXFET POWER MOSFET |
| IRFIZ44N | Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=0.024ohm, Id=31A) |
| IRFIZ48VPBF | HEXFET Power MOSFET |
| IRFIZ48V | Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=12mohm, Id=39A) |
| IRFIZ48 | Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=0.018ohm, Id=37A) |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRFIZ34G_09 | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Power MOSFET |
| IRFIZ34GPBF | 功能描述:MOSFET N-Chan 60V 20 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFIZ34N | 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=0.04ohm, Id=21A) |
| IRFIZ34NHR | 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 55V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-220 |
| IRFIZ34NPBF | 功能描述:MOSFET MOSFT 55V 19A 40mOhm 22.7nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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