型号: | IRFIZ34G |
厂商: | International Rectifier |
英文描述: | HEXFET POWER MOSFET |
中文描述: | HEXFET功率MOSFET |
文件页数: | 4/6页 |
文件大小: | 285K |
代理商: | IRFIZ34G |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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IRFIZ44G | HEXFET POWER MOSFET |
IRFIZ44N | Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=0.024ohm, Id=31A) |
IRFIZ48VPBF | HEXFET Power MOSFET |
IRFIZ48V | Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=12mohm, Id=39A) |
IRFIZ48 | Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=0.018ohm, Id=37A) |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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IRFIZ34G_09 | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Power MOSFET |
IRFIZ34GPBF | 功能描述:MOSFET N-Chan 60V 20 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
IRFIZ34N | 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=0.04ohm, Id=21A) |
IRFIZ34NHR | 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 55V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-220 |
IRFIZ34NPBF | 功能描述:MOSFET MOSFT 55V 19A 40mOhm 22.7nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |