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参数资料
型号： IRFL024
厂商： International Rectifier
英文描述： Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=0.075ohm, Id=2.8A)
中文描述： 功率MOSFET（减振钢板基本\u003d 55V的，的Rds（on）\u003d 0.075ohm，身份证\u003d 2.8A）
文件页数： 2/8页
文件大小： 110K
代理商： IRFL024
IRFL024N
2
www.irf.com
Repetitive rating; pulse width limited by
max. junction temperature. ( See fig. 11 )
I
SD
≤
1.68A, di/dt
≤
155A/μs, V
DD
≤
V
(BR)DSS
,
T
J
≤
150°C
Pulse width
≤
300μs; duty cycle
≤
2%.
Notes:
Starting T
J
= 25°C, L = 54.7 mH
R
G
= 25
, I
AS
= 2.8A. (See Figure 12)
Parameter
Min. Typ. Max. Units
Conditions
I
S
Continuous Source Current
(Body Diode)
Pulsed Source Current
(Body Diode)
Diode Forward Voltage
Reverse Recovery Time
Reverse RecoveryCharge
Forward Turn-On Time
MOSFET symbol
showing the
integral reverse
p-n junction diode.
T
J
= 25°C, I
S
=1.68A, V
GS
= 0V
T
J
= 25°C, I
F
= 1.68A
di/dt = 100A/μs
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
t
on
–––
–––
–––
–––
35
50
1.0
53
75
V
ns
nC
Intrinsic turn-on time is negligible (turn-on is dominated by L
S
+L
D
)
Source-Drain Ratings and Characteristics
–––
–––
–––
–––
11.2
2.8
A
Electrical Characteristics @ T
J
= 25°C (unless otherwise specified)
Parameter
Min. Typ. Max. Units
55
–––
–––
0.056 –––
–––
––– 0.075
2.0
–––
3.0
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
8.1
–––
13.4
–––
22.2
–––
17.7
–––
400
–––
145
–––
60
Conditions
V
GS
= 0V, I
D
= 250μA
Reference to 25°C, I
D
= 1mA
V
GS
= 10V, I
D
= 2.8A
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250μA
V
DS
= 25V, I
D
= 1.68A
V
DS
= 55V, V
GS
= 0V
V
DS
= 44V, V
GS
= 0V, T
J
= 125°C
V
GS
= 20V
V
GS
= -20V
I
D
= 1.68A
V
DS
= 44V
V
GS
= 10V, See Fig. 6 and 9
V
DD
= 28V
I
D
= 1.68A
R
G
= 24
R
D
= 17
, See Fig. 10
V
GS
= 0V
V
DS
= 25V
= 1.0MHz, See Fig. 5
V
(BR)DSS
V
(BR)DSS
/
T
J
Breakdown Voltage Temp. Coefficient
R
DS(on)
Static Drain-to-Source On-Resistance
V
GS(th)
Gate Threshold Voltage
g
fs
Forward Transconductance
Drain-to-Source Breakdown Voltage
–––
V
V/°C
V
S
4.0
–––
25
250
100
-100
18.3
3.0
7.7
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
μA
Gate-to-Source Forward Leakage
Gate-to-Source Reverse Leakage
Total Gate Charge
Gate-to-Source Charge
Gate-to-Drain ("Miller") Charge
Turn-On Delay Time
Rise Time
Turn-Off Delay Time
Fall Time
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
nA
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
C
iss
C
oss
C
rss
nC
pF
I
GSS
ns
I
DSS
Drain-to-Source Leakage Current
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PDF描述
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