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参数资料
| 型号： | IRFL024 |
| 厂商： | International Rectifier |
| 英文描述： | Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=0.075ohm, Id=2.8A) |
| 中文描述： | 功率MOSFET（减振钢板基本\u003d 55V的，的Rds（on）\u003d 0.075ohm，身份证\u003d 2.8A） |
| 文件页数： | 4/8页 |
| 文件大小： | 110K |
| 代理商： | IRFL024 |
IRFL024N
4
www.irf.com
Fig 8.
Maximum Safe Operating Area
Fig 6.
Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
Fig 5.
Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
Fig 7.
Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
1
10
100
0
100
200
300
400
500
600
700
V , Drain-to-Source Voltage (V)
C
V
C
C
C
=
=
=
=
0V,
C
C
C
ds
f = 1MHz
+ C
gd ,
+ C
C SHORTED
GS
iss
rss
oss
gs
gd
gd
C
iss
C
oss
C
rss
0.1
1
10
100
0.1
1
10
100
1000
OPERATION IN THIS AREA LIMITED
BY R
DS(on)
Single Pulse
T
T
= 150°
= 25°
J
C
V , Drain-to-Source Voltage (V)
D
I
100us
1ms
10ms
0
5
10
15
20
0
5
10
15
20
Q , Total Gate Charge (nC)
V
G
FOR TEST CIRCUIT
SEE FIGURE
I =
13
1.68 A
V
= 27V
DS
V
= 44V
DS
0.1
1
10
100
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
V ,Source-to-Drain Voltage (V)
I
S
V = 0 V
T = 25 C
T = 150 C
°
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PDF描述 |
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