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参数资料
| 型号： | IRFL024NTR |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 3/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 55V 2.8A SOT223 |
| 标准包装： | 2,500 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 55V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2.8A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 75 毫欧 @ 2.8A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 18.3nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 400pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-261-4，TO-261AA |
| 供应商设备封装： | SOT-223 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
IRFL024N
100
TOP
VGS
15V
100
TOP
VGS
15V
10
10V
8.0V
7.0V
6.0V
5.5V
5.0V
BOTTOM 4.5V
4.5V
10
10V
8.0V
7.0V
6.0V
5.5V
5.0V
BOTTOM 4.5V
4.5V
1
20μs PULSE WIDTH
1
20μs PULSE WIDTH
0.1
T J = 25 ° C
0.1
T J = 150 ° C
0.1
1
10
100
0.1
1
10
100
V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 1. Typical Output Characteristics,
V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 2. Typical Output Characteristics,
100
10
T J = 150 ° C
T J = 25 ° C
2.0
1.5
1.0
0.5
I D = 2.8A
1
V DS = 25V
20μs PULSE WIDTH
0.0
V GS = 10V
4.5
5.0
5.5
6.0
6.5
-60 -40 -20
0
20
40
60
80 100 120 140 160
V GS , Gate-to-Source Voltage (V)
Fig 3. Typical Transfer Characteristics
www.irf.com
T J , Junction Temperature ( ° C)
Fig 4. Normalized On-Resistance
Vs. Temperature
3
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PDF描述 |
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参数描述 |
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