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参数资料
| 型号： | IRFM120ATF |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 1/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 100V 2.3A SOT-223 |
| 产品目录绘图： | MOSFET SOT-223 Pkg |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2.3A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 200 毫欧 @ 1.15A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 22nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 480pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 2.4W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-261-4，TO-261AA |
| 供应商设备封装： | SOT-223-3 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1604 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | IRFM120ATFDKR |
Advanced Power MOSFET
IRFM120A
FEATURES
IEEE802.3af Compatible
BV DSS = 100 V
! Avalanche Rugged Technology
! Rugged Gate Oxide Technology
! Lower Input Capacitance
! Improved Gate Charge
! Extended Safe Operating Area
! Lower Leakage Current : 10 # A (Max.) @ V DS = 100V
! Lower R DS(ON) : 0.155 ! (Typ.)
R DS(on) = 0.2 !
I D = 2.3 A
SOT-223
2
1
3
1. Gate 2. Drain 3. Source
Absolute Maximum Ratings
Symbol
V DSS
I D
Characteristic
Drain-to-Source Voltage
Continuous Drain Current (T A =25 % )
Continuous Drain Current (T A =70 % )
Value
100
2.3
1.84
Units
V
A
I DM
V GS
E AS
I AR
E AR
dv/dt
Drain Current-Pulsed
Gate-to-Source Voltage
Single Pulsed Avalanche Energy
Avalanche Current
Repetitive Avalanche Energy
Peak Diode Recovery dv/dt
&
'
&
&
(
18
" 20
123
2.3
0.24
6.5
A
V
mJ
A
mJ
V/ns
P D
T J , T STG
T L
Total Power Dissipation (T A =25 % ) *
Linear Derating Factor *
Operating Junction and
Storage Temperature Range
Maximum Lead Temp. for Soldering
Purposes, 1/8” from case for 5-seconds
2.4
0.019
- 55 to +150
300
W
W/ %
%
Thermal Resistance
Symbol
R $ JA
Characteristic
Junction-to-Ambient *
Typ.
--
Max.
52
Units
% /W
* When mounted on the minimum pad size recommended (PCB Mount).
Rev. C
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