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参数资料
| 型号： | IRFM120ATF |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 4/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 100V 2.3A SOT-223 |
| 产品目录绘图： | MOSFET SOT-223 Pkg |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2.3A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 200 毫欧 @ 1.15A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 22nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 480pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 2.4W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-261-4，TO-261AA |
| 供应商设备封装： | SOT-223-3 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1604 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | IRFM120ATFDKR |
IRFM120A
Fig 7. Breakdown Voltage vs. Temperature
1.2
3.0
N-CHANNEL
POWER MOSFET
Fig 8. On-Resistance vs. Temperature
2.5
1.1
2.0
1.0
1.5
1.0
0.9
@ Notes :
@ Notes :
1. V GS = 0 V
2. I D = 250 " A
0.5
1. V GS = 10 V
2. I D = 4.6 A
0.8
-75
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
175
0.0
-75
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
175
T J , Junction Temperature [ o C]
Fig 9. Max. Safe Operating Area
T J , Junction Temperature [ o C]
Fig 10. Max. Drain Current vs. Ambient Temperature
2.5
10 2
Operation in This Area
is Limited by R DS(on)
2.0
10 1
10 ms
100 " s
1 ms
10 " s
1.5
10 0
DC
100 ms
1.0
10 -1
@ Notes :
1. T A = 25 o C
2. T J = 150 o C
3. Single Pulse
0.5
10 -2 -1
10
10 0
10 1
10 2
0.0
25
50
75
100
125
150
V DS , Drain-Source Voltage [V]
10 2
D=0.5
Fig 11. Thermal Response
T A , Ambient Temperature [ o C]
10
1
0.2
0.1
0.05
@ Notes :
1. Z ! J A (t)=52 o C/W Max.
2. Duty Factor, D=t 1 /t 2
10 0
10 - 1
0.02
0.01
single pulse
3. T J M -T A =P D M *Z ! J A (t)
P DM
t 1
t 2
10 - 5
10 - 4
10 - 3
10 - 2
10 - 1
10 0
10 1
10 2
10 3
t 1 , Square Wave Pulse Duration
[sec]
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PDF描述 |
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参数描述 |
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