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参数资料
| 型号： | IRFM120ATF |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 6/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 100V 2.3A SOT-223 |
| 产品目录绘图： | MOSFET SOT-223 Pkg |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2.3A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 200 毫欧 @ 1.15A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 22nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 480pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 2.4W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-261-4，TO-261AA |
| 供应商设备封装： | SOT-223-3 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1604 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | IRFM120ATFDKR |
IRFM120A
Fig 15. Peak Diode Recovery dv/dt Test Circuit & Waveforms
N-CHANNEL
POWER MOSFET
DUT
+
V DS
--
I S
L
V GS
Driver
V GS
V GS
( Driver )
R G
Same Type
as DUT
? dv/dt controlled by / G
? I S controlled by Duty Factor 0 ?
Gate Pulse Width
D = --------------------------
Gate Pulse Period
V DD
10V
I FM , Body Diode Forward Current
I S
( DUT )
di/dt
I RM
Body Diode Reverse Current
V DS
( DUT )
Body Diode Recovery dv/dt
V f
Body Diode
Forward Voltage Drop
V DD
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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| IRFP150A | MOSFET N-CH 100V 43A TO-3 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| IRFM140U | 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 28A I(D) | TO-254VAR |
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