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参数资料
| 型号： | IRFP150A |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 1/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 100V 43A TO-3 |
| 标准包装： | 30 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 43A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 40 毫欧 @ 21.5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 97nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2270pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 193W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-3P-3，SC-65-3 |
| 供应商设备封装： | TO-3P |
| 包装： | 管件 |
175 C Operating Temperature
Advanced Power MOSFET
FEATURES
Avalanche Rugged Technology
Rugged Gate Oxide Technology
Lower Input Capacitance
Improved Gate Charge
Extended Safe Operating Area
Ο
Lower Leakage Current : 10 μ A (Max.) @ V DS = 100V
IRFP150A
BV DSS = 100 V
R DS(on) = 0.04 ?
I D = 43 A
TO-3P
Lower R DS(ON) : 0.032 ? (Typ.)
1
2
3
1.Gate 2. Drain 3. Source
Absolute Maximum Ratings
Continuous Drain Current (T C =25 C )
Continuous Drain Current (T C =100 C )
Symbol
V DSS
I D
Characteristic
Drain-to-Source Voltage
Ο
Ο
Value
100
43
30.4
Units
V
A
O
Total Power Dissipation (T C =25 C )
W/ C
I DM
V GS
E AS
I AR
E AR
dv/dt
P D
T J , T STG
Drain Current-Pulsed
Gate-to-Source Voltage
Single Pulsed Avalanche Energy
Avalanche Current
Repetitive Avalanche Energy
Peak Diode Recovery dv/dt
Ο
Linear Derating Factor
Operating Junction and
Storage Temperature Range
O 1
2
O 1
O 1
O 3
170
+ _ 2 0
740
43
19.3
6.5
193
1.28
- 55 to +175
A
V
mJ
A
mJ
V/ns
W
Ο
T L
Maximum Lead Temp. for Soldering
Purposes, 1/8” from case for 5-seconds
300
Ο
C
Thermal Resistance
Symbol
R θ JC
Characteristic
Junction-to-Case
Typ.
--
Max.
0.78
Units
R θ CS
R θ JA
Case-to-Sink
Junction-to-Ambient
0.24
--
--
40
Ο
C /W
Rev. B
?1999 Fairchild Semiconductor Corporation
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRFP150N | MOSFET N-CH 100V 42A TO-247AC |
| IRFP250 | MOSFET N-CH 200V 30A TO-247AD |
| IRFP260 | MOSFET N-CH 200V 46A TO247 |
| IRFP264 | MOSFET N-CH 250V 38A TO247 |
| IRFP3703 | MOSFET N-CH 30V 210A TO-247AC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRFP150FI | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 23A I(D) | TO-218VAR |
| IRFP150MPBF | 功能描述:MOSFET MOSFT 100V 39A 36mOhm 73.3nCAC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFP150N | 功能描述:MOSFET N-CH 100V 42A TO-247AC RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| IRFP150N_R4942 | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFP150NHR | 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 100V 42A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC |
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