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参数资料
| 型号： | IRFP150A |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 2/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 100V 43A TO-3 |
| 标准包装： | 30 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 43A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 40 毫欧 @ 21.5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 97nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2270pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 193W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-3P-3，SC-65-3 |
| 供应商设备封装： | TO-3P |
| 包装： | 管件 |
IRFP150A
N-CHANNEL
POWER MOSFET
Electrical Characteristics (T C =25 C unless otherwise specified)
Ο
Symbol
Characteristic
Min. Typ. Max. Units
Test Condition
BV DSS
Drain-Source Breakdown Voltage
100
--
--
V
V GS =0V,I D =250 μ A
V/ C
? BV/ ? T J
Breakdown Voltage Temp. Coeff.
--
0.11
--
Ο
I D =250 μ A
See Fig 7
V DS =80V,T C =150 C
V GS(th)
I GSS
I DSS
Gate Threshold Voltage
Gate-Source Leakage , Forward
Gate-Source Leakage , Reverse
Drain-to-Source Leakage Current
2.0
--
--
--
--
--
--
--
--
--
4.0
100
-100
10
100
V
nA
μ A
V DS =5V,I D =250 μ A
V GS =20V
V GS =-20V
V DS =100V
Ο
R DS(on)
g fs
Static Drain-Source
On-State Resistance
Forward Transconductance
--
--
--
28.34
0.04
--
?
?
V GS =10V,I D =21.5A
V DS =40V,I D =21.5A
O 4
O 4
C iss
C oss
C rss
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
--
--
--
1750 2270
420 485
185 215
pF
V GS =0V,V DS =25V,f =1MHz
See Fig 5
t d(on)
t r
t d(off)
t f
Q g
Q gs
Q gd
Turn-On Delay Time
Rise Time
Turn-Off Delay Time
Fall Time
Total Gate Charge
Gate-Source Charge
Gate-Drain(“Miller”) Charge
--
--
--
--
--
--
--
17
20
80
45
75
13.2
34.8
50
50
160
100
97
--
--
ns
nC
V DD =50V,I D =40A,
R G =6.2 ?
See Fig 13
V DS =80V,V GS =10V,
I D =40A
See Fig 6 & Fig 12
O 4 O 5
O 4 O 5
Source-Drain Diode Ratings and Characteristics
Symbol
Characteristic
Min. Typ. Max. Units
Test Condition
T J =25 C ,I S =43A,V GS =0V
T J =25 C ,I F =40A
I S
I SM
V SD
t rr
Continuous Source Current
Pulsed-Source Current
Diode Forward Voltage
Reverse Recovery Time
O 1
O 4
--
--
--
--
--
--
--
135
43
170
1.6
--
A
V
ns
Integral reverse pn-diode
in the MOSFET
Ο
Ο
Q rr
Reverse Recovery Charge
--
0.65
--
μ C
di F /dt=100A/ μ s
O 4
O
O 2 L=0.6mH, I AS =43A, V DD =25V, R G =27 ? , Starting T J =25 o o C
Notes ;
1 Repetitive Rating : Pulse Width Limited by Maximum Junction Temperature
O 3 I SD <_ 40A, di/dt <_ 47 0A/ μ s, V DD <_ BV DSS , Starting T J =25 C
O 4 Pulse Test : Pulse Width = 250 μ s, Duty Cycle <_ 2%
O 5 Essentially Independent of Operating Temperature
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