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参数资料
| 型号： | IRFP150A |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 100V 43A TO-3 |
| 标准包装： | 30 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 43A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 40 毫欧 @ 21.5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 97nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2270pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 193W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-3P-3，SC-65-3 |
| 供应商设备封装： | TO-3P |
| 包装： | 管件 |
N-CHANNEL
POWER MOSFET
Fig 1. Output Characteristics
IRFP150A
Fig 2. Transfer Characteristics
10 2
Top :
V GS
15V
10 2
10 V
8.0 V
7.0 V
6.0 V
5.5 V
5.0 V
175 o C
10
Bottom : 4.5 V
1
10 1
25 o C
@ Notes :
1. V GS = 0 V
10 0
@ Notes :
1. 250 μ s Pulse Test
2. T C = 25 o C
- 55 o C
2. V DS = 40 V
3. 250 μ s Pulse Test
10 -1
10 0
10 1
10 0
2
4
6
8
10
0.06
V DS , Drain-Source Voltage [V]
Fig 3. On-Resistance vs. Drain Current
10 2
V GS , Gate-Source Voltage [V]
Fig 4. Source-Drain Diode Forward Voltage
0.05
V GS = 10 V
0.04
0.03
10 1
0.02
V GS = 20 V
25 C
0.01
@ Note : T J = 25 o C
175 o C
o
@ Notes :
1. V GS = 0 V
2. 250 μ s Pulse Test
0.00
0
25
50
75
100
125
150
175
10 0
0.4
0.6
0.8
1.0 1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
2.2
2.4 2.6
2.8
3000
I D , Drain Current [A]
Fig 5. Capacitance vs. Drain-Source Voltage
C iss = C gs + C gd ( C ds = shorted )
V SD , Source-Drain Voltage [V]
Fig 6. Gate Charge vs. Gate-Source Voltage
2000
C iss
C oss = C ds + C gd
C rss = C gd
10
V DS = 20 V
V DS = 50 V
V DS = 80 V
C oss
@ Notes :
5
1000
C rss
1. V GS = 0 V
2. f = 1 MHz
@ Notes : I D =40.0 A
0 0
10
10 1
0
0
10
20
30
40
50
60
70
80
V DS , Drain-Source Voltage [V]
Q G , Total Gate Charge [nC]
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PDF描述 |
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