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参数资料
| 型号： | IRFP3703 |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 1/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 210A TO-247AC |
| 标准包装： | 25 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 210A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 2.8 毫欧 @ 76A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 209nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 8250pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 3.8W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-247-3 |
| 供应商设备封装： | TO-247AC |
| 包装： | 散装 |
| 其它名称： | *IRFP3703 |
PD - 93917A
SMPS MOSFET
IRFP3703
HEXFET ? Power MOSFET
Applications
l Synchronous Rectification
l Active ORing
V DSS
30V
R DS(on) max
0.0028 ?
I D
210A ?
Benefits
l Ultra Low On-Resistance
l Low Gate Impedance to Reduce Switching
Losses
l Fully Avalanche Rated
TO-247AC
Absolute Maximum Ratings
Parameter
Max.
Units
I D @ T C = 25°C
I D @ T C = 100°C
I DM
P D @T C = 25°C
P D @T A = 25°C
V GS
dv/dt
T J, T STG
Continuous Drain Current, V GS @ 10V
Continuous Drain Current, V GS @ 10V
Pulsed Drain Current ?
Power Dissipation
Power Dissipation
Linear Derating Factor
Gate-to-Source Voltage
Peak Diode Recovery dv/dt ?
Junction and Storage Temperature Range
210 ?
100 ?
1000
230
3.8
1.5
± 20
5.0
-55 to + 175
A
W
W/°C
V
V/ns
°C
Thermal Resistance
Parameter
Typ.
Max.
Units
R θ JC
Junction-to-Case
–––
0.65
R θ CS
R θ JA
Case-to-Sink, Flat, Greased Surface
Junction-to-Ambient
0.24
–––
–––
40
°C/W
Typical SMPS Topologies
l
l
Forward and Bridge Converters with Synchronous Rectification for Telecom and
Industrial Applications
Offline High Power AC/DC Convertors using Synchronous Rectification
Notes ? through ? are on page 8
www.irf.com
1
5/18/01
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRFP450 | MOSFET N-CH 500V 14A TO-247AD |
| IRFP470 | MOSFET N-CH 500V 24A TO-247AD |
| IRFP9140N | MOSFET P-CH 100V 23A TO-247AC |
| IRFR010TRPBF | MOSFET N-CH 50V 8.2A DPAK |
| IRFR024NTRR | MOSFET N-CH 55V 17A DPAK |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRFP3703PBF | 功能描述:MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 2.8mOhms 209nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFP3710 | 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET N TO-247 |
| IRFP3710HR | 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 100V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 100V 57A 3PIN TO-247AC - Rail/Tube |
| IRFP3710PBF | 功能描述:MOSFET MOSFT 100V 51A 250mOhm 66.7nCAC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFP4004PBF | 功能描述:MOSFET MOSFT 40V 350A 1.7mOhm 220nC Qg RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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